[发明专利]集成电路及其形成方法在审
申请号: | 202210502235.5 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN115732501A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 张光庆;杨荣展;庄惠中;陈志良;杨国男 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07;H01L23/528;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包含:
一闸控电路,用于在至少一第一电压或一第二电压下操作;
一首部开关电路,耦接至该闸控电路;
一第一电源轨,位于一晶圆的一背面,该第一电源轨沿着一第一方向延伸,该首部开关电路用于透过该第一电源轨提供该第一电压至该闸控电路;
一第二电源轨,位于该晶圆的该背面,该第二电源轨沿着该第一方向延伸,且在不同于该第一方向的一第二方向上与该第一电源轨分离,该第二电源轨用于提供该第二电压至该闸控电路,该第二电压不同于该第一电压;以及
一第三电源轨,位于该晶圆的该背面的相反面的一正面,该第三电源轨包含在该第二方向延伸并在该第一方向上分离的一第一导体组,该第一导体组中的每一个导体用于提供一第三电压至该首部开关电路。
2.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,该首部开关电路包含:
一第一主动区,属于一第一掺杂类型,该第一主动区沿着该第一方向延伸,且位于该晶圆的该正面;以及
一第二主动区,属于该第一掺杂类型,该第二主动区沿着该第一方向延伸,位于该晶圆的该正面,且在该第二方向上与该第一主动区分离。
3.如权利要求2所述的集成电路,其特征在于,其中
该第一主动区包含一第一晶体管组,该第一晶体管组在该第一电源轨与该第三电源轨之间以并联的方式电性连接;以及
该第二主动区包含一第二晶体管组,该第二晶体管组在该第一电源轨与该第三电源轨之间以并联的方式电性连接。
4.如权利要求2所述的集成电路,其特征在于,进一步包含:
一第一接点组,重叠于至少该第一主动区或该第二主动区之上,该第一接点组沿着该第二方向延伸,且位于该第三电源轨之下的一第一层,该第一接点组中的每个接点在该第一方向上彼此分离。
5.如权利要求4所述的集成电路,其特征在于,进一步包含:
一第二导体组,沿着该第一方向延伸,与该第一接点组重叠,且位于与该第一层不同的一第二层;以及
一第一通路组,位于该第一接点组与该第二导体组之间,该第一通路组将该第一接点组与该第二导体组电性连接,
其中该第二导体组中的每一个导体与该第一接点组中的两个以上接点以并联的方式电性连接。
6.一种集成电路,其特征在于,包含:
一第一电源轨,位于一晶圆的一背面,该第一电源轨沿着一第一方向延伸且用于提供一第一电压;
一电源闸控电路,耦接至该第一电源轨,且用于提供该第一电压至该第一电源轨;
一第二电源轨,位于该晶圆的该背面,该第二电源轨沿着该第一方向延伸,且在该第一方向上以及不同于该第一方向的一第二方向上与该第一电源轨分离,该第二电源轨用于提供一第二电压;
一第三电源轨,位于该晶圆的一正面,即该晶圆的该背面的相反面,该第三电源轨包含一第一导体组,该第一导体组沿着该第二方向延伸,且该第一导体组中的每一个导体在该第一方向上彼此分离;以及
一第四电源轨,位于该晶圆的该背面,该第四电源轨沿着该第一方向延伸,在该第二方向上与该第一电源轨分离,且在该第一方向上与该第二电源轨分离,
其中该第三电源轨与该第四电源轨用于提供一第三电压至该电源闸控电路。
7.如权利要求6所述的集成电路,其特征在于,该电源闸控电路包含:
一第一主动区,沿着该第一方向延伸,该第一主动区位于该晶圆的该正面,且位于该第一电源轨以及该第四电源轨之上,该第一主动区包含一第一晶体管组,该第一晶体管组在该第一电源轨与至少该第三电源轨或该第四电源轨之间以并联的方式电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的