[发明专利]集成电路及其形成方法在审
申请号: | 202210502235.5 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN115732501A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 张光庆;杨荣展;庄惠中;陈志良;杨国男 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07;H01L23/528;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
本揭示文件揭露一种集成电路及其形成方法,集成电路包含第一、第二以及第三电源轨,与耦接至闸控电路的首部开关电路。闸控电路用于操作第一或第二电压。第一、第二电源轨位于晶圆的背面,且沿着第一方向延伸。首部开关电路用于透过第一电源轨提供第一电压至闸控电路。第二电源轨在第二方向上与第一电源轨分开。第二电源轨用于提供第二电压至闸控电路。第三电源轨位于晶圆的正面,且包含在第二方向延伸并在第一方向上分开的第一导体组。每个第一导体组用于提供第三电压至首部开关电路。
技术领域
本揭示文件是关于一种集成电路及其形成方法,特别是关于一种具有闸控电路的集成电路及其形成方法。
背景技术
半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业已经提供多种模拟以及数字装置来解决不同领域的问题。当集成电路变小且更复杂时,模拟以及数字装置的运作电压将会减少,进而影响数字装置的电压以及整体集成电路的表现。此外,模拟以及数字装置的功耗会因为电阻而增加。电源闸控是用来减少电路功耗的技术,透过关断集成电路内的电源供应来实现。
发明内容
本揭示文件提供一种集成电路,集成电路包含闸控电路、首部开关电路、第一电源轨、第二电源轨以及第三电源轨。闸控电路用于在至少第一电压或第二电压下操作。首部开关电路耦接至闸控电路。第一电源轨位于晶圆的背面,第一电源轨沿着第一方向延伸,首部开关电路用于透过第一电源轨提供第一电压至闸控电路。第二电源轨位于晶圆的背面,第二电源轨沿着第一方向延伸,且在不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分开,第二电源轨用于提供第二电压至闸控电路,第二电压不同于第一电压。第三电源轨位于晶圆的正面,也就是与晶圆的背面相反的另一面,第三电源轨包含在第二方向延伸并在第一方向上分开的第一导体组,第一导体组中的每一个导体用于提供第三电压至首部开关电路。
本揭示文件还提供一种集成电路,集成电路包含第一电源轨、电源闸控电路、第二电源轨、第三电源轨以及第四电源轨。在一些实施例中,第一电源轨位于晶圆的背面,第一电源轨沿着第一方向延伸且用于提供第一电压。在一些实施例中,电源闸控电路耦接至第一电源轨,且用于提供第一电压至第一电源轨。在一些实施例中,第二电源轨位于晶圆的背面,第二电源轨沿着第一方向延伸,且在第一方向上以及不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分离,第二电源轨用于提供第二电压。在一些实施例中,第三电源轨位于晶圆的正面,即晶圆的背面的相反面,第三电源轨包含第一导体组,第一导体组沿着第二方向延伸,且第一导体组中的每一个导体在第一方向上彼此分离。在一些实施例中,第四电源轨位于晶圆的背面,第四电源轨沿着第一方向延伸,在第二方向上与第一电源轨分离,且在第一方向上与第二电源轨分离。在一些实施例中,第三电源轨与第四电源轨用于提供第三电压至电源闸控电路。
本揭示文件提供一种集成电路的形成方法,形成方法包含在晶圆的正面制造晶体管组,在与正面相对的晶圆背面制造第一通路组,在晶圆背面设置第一导电材料,进而形成透过第一通路组电性连接至晶体管组的第一电源轨组,在晶圆的正面制造第二通路组,并在晶圆正面设置第二导电材料,进而形成至少透过第二通路组电性连接至晶体管组的第二电源轨组。
附图说明
当结合随附附图阅读时,将自下文的详细描述最佳地理解本案的态样。应注意,根据工业中的标准实务,并未按比例绘制各特征。事实上,为了论述清楚,可任意增加或减小各特征的尺寸。
图1A~1B为根据一些实施例所绘示的集成电路的方块图;
图2A~2G为根据一些实施例所绘示的集成电路的布局设计的附图;
图3A~3I为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
图4A~4B为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
图5A~5B为根据一些实施例所绘示的对应的集成电路的附图;
图6A~6D为根据一些实施例所绘示的集成电路的附图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的