[发明专利]接合方法和接合装置在审
申请号: | 202210518227.X | 申请日: | 2022-05-12 |
公开(公告)号: | CN115376883A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 田代佳;饭野克宏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 装置 | ||
1.一种接合方法,其具有以下步骤:利用第1保持部对包含玻璃基板和树脂层的第1基板进行吸附保持;利用第2保持部对第2基板进行吸附保持;使所述第1保持部和所述第2保持部相对地移动,从而使所述第1基板与所述第2基板隔着粘接剂接触并进行加压,其中,
该接合方法具有以下步骤:利用加热部对所述第1基板进行加热;使用自所述加热部向所述第1保持部输送所述第1基板的输送部对所述第1基板进行输送,
在利用所述第1保持部对所述第1基板进行吸附保持之前,利用所述加热部对所述第1基板进行加热,从而降低所述第1基板的翘曲。
2.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
所述输送部包含对所述第1基板进行加热的第2加热部,
该接合方法具有以下步骤:利用所述第2加热部对所述第1基板进行加热。
3.根据权利要求1或2所述的接合方法,其中,
所述输送部包含对所述第1基板的翘曲进行测量的翘曲测量部,
该接合方法具有以下步骤:利用所述翘曲测量部对所述第1基板的翘曲进行测量。
4.根据权利要求3所述的接合方法,其中,
该接合方法具有以下步骤:在利用所述翘曲测量部测量到的所述第1基板的翘曲在容许范围外的情况下,利用所述加热部对所述第1基板进行再次加热。
5.根据权利要求3所述的接合方法,其中,
在利用所述翘曲测量部测量到的所述第1基板的翘曲在容许范围外的情况下,对利用所述加热部加热所述第1基板的加热温度或加热时间进行设定变更。
6.一种接合装置,其借助粘接剂将第1基板与第2基板接合,该第1基板包含玻璃基板和树脂层,其中,
该接合装置包括:
第1保持部,其对所述第1基板进行吸附保持;
第2保持部,其对所述第2基板进行吸附保持;
加压部,其使所述第1保持部和所述第2保持部相对地移动,从而使所述第1基板与所述第2基板隔着所述粘接剂接触并进行加压;
加热部,其对所述第1基板进行加热;
输送部,其自所述加热部向所述第1保持部输送所述第1基板;以及
控制部,其对所述加压部、所述加热部和所述输送部进行控制,
所述控制部进行如下这样的控制:在利用所述第1保持部对所述第1基板进行吸附保持之前,利用所述加热部对所述第1基板进行加热,从而降低所述第1基板的翘曲。
7.根据权利要求6所述的接合装置,其中,
所述输送部包含对所述第1基板进行加热的第2加热部。
8.根据权利要求6或7所述的接合装置,其中,
所述输送部包含对所述第1基板的翘曲进行测量的翘曲测量部。
9.根据权利要求8所述的接合装置,其中,
所述控制部进行如下这样的控制:在利用所述翘曲测量部测量到的所述第1基板的翘曲在容许范围外的情况下,利用所述加热部对所述第1基板进行再次加热。
10.根据权利要求8所述的接合装置,其中,
所述控制部进行如下这样的控制:在利用所述翘曲测量部测量到的所述第1基板的翘曲在容许范围外的情况下,对利用所述加热部加热所述第1基板的加热温度或加热时间进行设定变更。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造