[发明专利]元件基板及其制造方法在审
申请号: | 202210519198.9 | 申请日: | 2022-05-12 |
公开(公告)号: | CN114824140A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 蔡榕陞;李文仁;余志坚;来汉中;刘树橿;洪濬成;胡仰霈;甄美英 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种元件基板,包括:
一第一基板,具有一主动区以及位于该主动区的至少一侧的一周边区;
一第一电极,位于该主动区之上,且该第一电极包括一第一金属层;
一接合垫,位于该周边区之上;以及
一牺牲电极,位于该第一基板之上,且包括:
一第二金属层,电性连接至该第一金属层;以及
一牺牲氧化物层,位于该第二金属层的表面,其中该牺牲氧化物层为该第二金属层的氧化物,且该第二金属层的标准还原电位低于该第一金属层的标准还原电位。
2.如权利要求1所述的元件基板,其中该牺牲电极与该接合垫皆位于该周边区之上,且该第一金属层电性连接至该牺牲电极与该接合垫。
3.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一第一测试接垫,位于该周边区之上,且该第一测试接垫电性连接至该第一电极,其中该牺牲电极位于该第一测试接垫与该接合垫之间;以及
一第一测试信号线,电性连接该第一测试接垫。
4.如权利要求1所述的元件基板,其中两个以上的该第一电极电性连接至同一个该牺牲电极。
5.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一绝缘层,位于该主动区之上与该周边区之上,其中该绝缘层具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口,该第一电极填入该第一开口中,该接合垫填入该第二开口中,且该牺牲电极位于该第三开口的底部。
6.如权利要求1所述的元件基板,其中该第一电极包括按序堆叠的一底部氧化物层、该第一金属层以及一顶部氧化物层,该第一金属层包覆该底部氧化物层的顶面以及侧面,且该顶部氧化物层的侧面与该第一金属层的侧面对齐。
7.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一像素控制电路,位于该主动区之上,且电性连接该第一电极,其中该像素控制电路包括至少一主动元件。
8.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一像素定义层,位于该第一电极上,且接触该第一电极的该第一金属层,其中该像素定义层包括重叠于该第一电极的一通孔;
一有机发光材料,位于该通孔中,且接触该第一电极;以及
一第二电极,位于该有机发光材料上,且该有机发光材料位于该第二电极与该第一电极之间。
9.如权利要求1所述的元件基板,其中该第一金属层包括银,且该第二金属层的标准还原电位低于+0.7996V。
10.一种元件基板的制造方法,包括:
提供一第一基板,该第一基板具有一主动区以及位于该主动区的至少一侧的一周边区;
形成一第二金属层于该第一基板之上;
形成一接合垫于该周边区之上;
形成一第一电极于该主动区之上,其中该第一电极包括一第一金属层,其中该第二金属层电性连接至该第一金属层,且该第二金属层的标准还原电位低于该第一金属层的标准还原电位;以及
通过氧化至少部分该第二金属层而于该第二金属层的表面形成一牺牲氧化物层,且氧化至少部分该第二金属层时产生的电子传递至该第一金属层。
11.如权利要求10所述的元件基板的制造方法,其中该第二金属层与该接合垫皆位于该周边区之上,且该第一金属层电性连接至该第二金属层与该接合垫。
12.如权利要求10所述的元件基板的制造方法,还包括:
形成一第一测试接垫于该周边区之上,其中该第一测试接垫电性连接至该第一电极。
13.如权利要求12所述的元件基板的制造方法,还包括:
切割该第一基板,并移除该第一测试接垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择