[发明专利]轨到轨迟滞比较电路及电子设备

权利要求书

1.一种轨到轨迟滞比较电路，其特征在于，所述轨到轨迟滞电路包括：

轨到轨输入模块，用于接收输入信号和偏置电源信号，并根据所述输入信号和所述偏置电源信号生成单端信号；

钳位电流比较模块，连接所述轨到轨输入模块，用于接收所述单端信号和所述偏置电源信号，并对所述单端信号的电压进行钳位处理，生成钳位电流信号；

迟滞缓冲模块，连接所述钳位电流比较模块，用于接收所述钳位电流信号，并对所述钳位电流信号进行迟滞缓冲处理生成驱动信号。

2.如权利要求1所述的轨到轨迟滞比较电路，其特征在于，还包括：

偏置电源模块，与所述轨到轨输入模块和所述钳位电流比较模块连接，用于为所述轨到轨输入模块和所述钳位电流比较模块提供偏置电源信号。

3.如权利要求2所述的轨到轨迟滞比较电路，其特征在于，所述偏置电源模块为共源共栅电流镜。

4.如权利要求1所述的轨到轨迟滞比较电路，其特征在于，所述轨到轨输入模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和参考信号接收NMOS管；其中，

所述第一PMOS管的控制端连接所述输入信号的第一接入端，所述第一PMOS管的第二端连接所述第三PMOS管的第一端，所述第一PMOS管的第一端连接所述第五NMOS管的第一端，所述第二PMOS管的第一端连接所述第六NMOS管的第一端，所述第二PMOS管的第二端连接所述第三PMOS管的第一端，所述第二PMOS管的控制端连接所述输入信号的第二接入端，所述第一NMOS管的第一端连接所述第七PMOS管的第二端，所述第一NMOS管的第二端连接所述第三NMOS管的第一端，所述第一NMOS管的控制端连接所述输入信号的第一接入端，所述第二NMOS管的第一端连接所述第八PMOS管的第二端，所述第二NMOS管的第二端连接所述第三NMOS管的第一端，所述第二NMOS管的控制端连接所述输入信号的第二接入端，所述第三NMOS管的第二端接地，所述第三NMOS管的控制端连接所述第四NMOS管的控制端，所述第三PMOS管的第二端接收电源信号，所述第三PMOS管的控制端连接所述第四PMOS管的控制端，所述第四NMOS管的第一端连接所述第四PMOS管的第一端，所述第四NMOS管的第二端接地，所述第四PMOS管的第二端接收所述电源信号；

所述第五PMOS管的第二端接收所述电源信号，所述第五PMOS管的第一端连接所述第七PMOS管，所述第六PMOS管的第一端连接所述第八PMOS管的第二端，所述第六PMOS管的第二端接收所述电源信号，所述第六PMOS管的控制端与所述第五PMOS管的控制端共同连接所述第七PMOS管的第一端、所述第五NMOS管的控制端和所述第六NMOS管的控制端；所述第七PMOS管的控制端和所述第八PMOS管的控制端共同接收第一偏置电源信号，所述第七NMOS管的第二端连接所述第五NMOS管的第一端，所述第八NMOS管的第二端连接所述第六NMOS管的第一端，所述第五NMOS管的第二端接地，所述第六NMOS管的第二端接地，所述第八PMOS管的第一端和所述第八NMOS管的第二端还共同连接所述钳位电流比较模块，所述参考信号接收NMOS管的控制端连接所述第七NMOS管的控制端和所述第八NMOS管的控制端，所述参考信号接收NMOS管的第一端连接所述第八NMOS管的控制端和所述第七NMOS管的控制端并接收第二偏置电源信号，所述参考信号接收NMOS管的第二端接地。

5.如权利要求2所述的轨到轨迟滞比较电路，其特征在于，所述钳位电流比较模块包括:

反相单元，连接所述轨到轨输入模块，用于对所述单端信号进行反相处理，生成所述钳位电流信号；

反馈单元，连接所述反相单元，用于将所述反相单元的输出端的所述钳位电流信号反馈至所述反相单元的输入端，以对所述单端信号的电压进行钳位处理。