[发明专利]一种微发光组件、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种微发光组件，包括：基板、具有半导体层序列的主体、支撑结构，支撑结构将主体固定在基板上，主体与基板之间具有空腔，其特征在于，支撑结构包括突出部，突出部从支撑结构的下方指向支撑结构，突出部具有至少一个端部，端部距离支撑结构的距离为0μm至1μm。

2.根据权利要求1所述的一种微发光组件，其特征在于，支撑结构至少包括第一介质层和/或第二介质层，第一介质层的材料包括氧化硅，第二介质层的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的一种微发光组件，其特征在于，支撑结构至少包括第一介质层和第二介质层，第一介质层材料不同于第二介质层材料，第一介质层位于第二介质层和半导体层序列之间，第二介质层用于连接支撑结构和主体，第一介质层位于第二介质层表面；其中第二介质层厚度大于第一介质层厚度。

4.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，第二介质层厚度为第一介质层厚度的1.5倍至10倍，第二介质层位于主体上，第一介质层至少部分覆盖在第二介质层的外表面。

5.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，第一介质层位于主体上，第二介质层至少部分覆盖在在第一介质层的内表面。

6.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，第一介质层的材料为氧化硅，第一介质层与主体的半导体层序列连接，第二介质层的材料为氮化硅，其中第一介质层的厚度为0.1μm至0.5μm；第二介质层的厚度为0.15μm至0.3μm，0.3μm至0.8μm，或者0.8μm至2μm，第一介质层、第二介质层的宽度为1μm至20μm。

7.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，半导体层为氮化镓基材料，半导体层序列至少由第一半导体层、有源层和第二半导体层组成，半导体层序列包括远离基板的第一部分和靠近基板的第二部分，第一部分在水平面的投影大于第二部分在水平面的投影，第二部分至少包括有源层和第二半导体层，第二部分的侧壁上设置有第一介质层和/或第二介质层。

8.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，支撑结构包括固定锚和桥臂，桥臂从固定锚向主体延伸，固定锚的材料包括胶材、无机介质或者金属，其中胶材包括环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯或者硅胶，第一介质层和/或第二介质层通过固定锚与基板连接。

9.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，支撑结构中第一介质层和第二介质层各为单层结构，第二介质层的厚度为变化的，至少部分远离主体的第二介质层厚度小于位于主体下方的第二介质层厚度。

10.根据权利要求3所述的一种微发光组件，其特征在于，第一介质层至少包括负应力方向的材料，第二介质层的材料至少包括正应力方向的材料。

11.根据权利要求1所述的一种微发光组件，其特征在于，突出部包括介质材料、胶材或者金属。

12.根据权利要求1所述的一种微发光组件，其特征在于，突出部包括环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯或者硅胶。

13.根据权利要求8所述的一种微发光组件，其特征在于，突出部从固定锚向桥臂延伸。

14.根据权利要求1所述的一种微发光组件，其特征在于，突出部的端部具有脊状或者为尖端状，端部的宽度不大于突出部其他区域的宽度，突出部的材料的弹性模量为0.5GPa至2GPa。

15.根据权利要求1所述的一种微发光组件，其特征在于，支撑结构具有表面均裸露或者上表面裸露的悬空部，突出部从基板向支撑结构的悬空部延伸，悬空部与水平面的角度为-10°至10°。