[发明专利]一种微发光组件、显示装置及其制作方法

说明书

本发明涉及一种微发光组件、显示装置及其制作方法，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构由介质层和/或半导体层构成桥臂结构；半导体层序列；所述半导体层序列通过桥臂与基板直接或者间接接触固定，支撑结构还包括突出部，突出部从基板向支撑结构延伸，突出部距离支撑结构的距离为0μm至1μm，从而提升微发光组件的转移良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微发光组件、显示装置及其制作方法。

背景技术

目前微发光二极管的转移主要是通过范德瓦力、静电力或磁力等方式，将载体基板上的微发光二极管转移至接收基板上。一般来说，微发光二极管会通过支撑结构来固持而使微发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置，且通过支撑结构来巩固微发光二极管于转移时不会受到其他内因或外因而影响品质。

由于目前是使用感光型材料或单层介电质薄膜来制作固定结构，但因微发光二极管的尺寸变小，而使得固定结构的宽度受限，进而使得固定结构的结构强度较脆弱。在芯片制程中，为了提升转移良率而制作出微发光二极管的悬空结构，如何让支撑结构可以暂时地固持微发光二极管，如何在运输过程中不产生固持异常，且不增加后续转板时的压印转移难度，已成为目前业界的技术难题之一。

发明内容

为了解决背景技术遇到的问题，本发明提供了一种微发光组件、显示装置及其制作方法，以实现兼顾转板时的转移良率和牺牲层时桥臂强度。

一种微发光组件，包括：基板、具有半导体层序列的主体、支撑结构，支撑结构将主体固定在基板上，主体与所述基板上表面具有空腔。支撑结构包括突出部，突出部从支撑结构的下方指向支撑结构，突出部具有至少一个端部，端部距离支撑结构的距离为0μm至1μm，在一些情况下，优选为0μm，即端部直接与支撑结构接触，由端部向支撑结构提供支撑力。

在本发明中，优选的，支撑结构至少包括第一介质层和/或第二介质层，第一介质层的材料包括氧化硅，第二介质层的材料包括氮化硅。支撑结构至少包括第一介质层和第二介质层，第一介质层材料不同于第二介质层材料，第一介质层位于第二介质层和半导体层序列之间，第二介质层用于连接支撑结构和主体，第一介质层位于第二介质层表面；主体与所述基板上表面之间具有空腔；其中第二介质层厚度大于第一介质层厚度。第二介质层厚度为第一介质层厚度的1.5倍至10倍，第二介质层位于主体上，第一介质层至少部分覆盖在第二介质层的外表面。第二介质层为了提供足够支持力，先用较薄的第一介质层主要用于消除制程中的应力，避免键合过程中应力释放导致支撑结构破裂，第二介质层主要用于提供芯粒和基板在转移时的桥接，第二介质层厚度明显大于第一介质层厚度，同时利用两者材料不同、成膜应力差异而降低支撑结构的应力调控难度。第一介质层位于主体上，第二介质层至少部分覆盖在在第一介质层的内表面。

根据本发明，优选的，第一介质层至少包括负应力方向的材料，第二介质层的材料至少包括正应力方向的材料。例如第一介质层采用厚度较薄的氧化硅，由于工艺中氧化硅的成膜应力相对氮化硅较大，可用于调整应力，但不宜将氧化硅厚度设置过厚，再制作采用较厚的氮化硅的第二介质层，第二介质层的成膜质量提升。

根据本发明，优选的，第一介质层的材料为氧化硅，第一介质层与主体的半导体层序列连接，第二介质层的材料为氮化硅，其中第一介质层的厚度为0.1μm至0.5μm；第二介质层的厚度为0.15μm至0.3μm，0.3μm至0.8μm，或者0.8μm至2μm，第一介质层、第二介质层的宽度为1μm至20μm。通过该厚度和宽度设计，提升整体架构稳定性。

根据本发明，优选的，第一介质层至少包括负应力方向的材料，第二介质层的材料至少包括正应力方向的材料，利用不同应力方向调控支撑结构生长应力。