[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

具有布线结构的基础衬底；

设置在该基础衬底上的重分布层；

设置在该重分布层上的第一半导体芯片；和

设置在该基础衬底中并电耦合到该第一半导体芯片的第一电容器，其中该第一电容器包括：

具有第一顶表面和第一底表面的第一电容器衬底；

设置在该第一电容器衬底中的至少一个第一电容器单元；和

设置在该第一电容器衬底中的第一通孔，该第一通孔将该至少一个第一电容器单元电耦合到位于该第一电容器衬底的该第一顶表面和该第一底表面上的该基础衬底的该布线结构。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

设置在该重分布层与该基础衬底之间的多个第一凸块结构；

设置在重分布层上的第二半导体芯片；

与该多个第一凸块结构相邻并且电耦合到该第二半导体芯片的第二电容器；和

设置在该第二电容器的两个表面上的多个第二凸块结构。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，将该第二电容器连接至该基础衬底的多个第二凸块结构的尺寸大于将该第二电容器连接至该重分布层的多个第二凸块结构的尺寸。

4.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二电容器包括：

第二电容器衬底；

设置在该第二电容器衬底中的至少一个第二电容器单元；和

设置在该第二电容器衬底中的第二通孔，该第二通孔将该至少一个第二电容器单元电耦合到该重分布层和该基础衬底。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

设置在该重分布层上的第二半导体芯片；和

嵌入在该重分布层中并电耦合到该第二半导体芯片的第二电容器。

6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二电容器包括：

具有第二顶表面和第二底表面的第二电容器衬底；

设置在该第二电容器衬底中的至少一个第二电容器单元；和

设置在第二电容器衬底中的第二通孔，该第二通孔将该至少一个第二电容器单元电耦合到位于该第二顶表面和该第二底表面上的该重分布层的导电层。

7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括设置在该重分布层与该基础衬底之间并电耦合到第三半导体芯片的第三电容器。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

设置在该重分布层上的第二半导体芯片；

设置在该第一半导体芯片与该重分布层之间的多个第一凸块结构；

设置在该第二半导体芯片和该重分布层之间的第二电容器；和

设置在该第二电容器的两个表面上并且将该第二电容器电耦合到该第二半导体芯片和该重分布层的多个第二凸块结构。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二电容器包括：

第二电容器衬底；

设置在该第二电容器衬底中的至少一个第二电容器单元；和

设置在该第二电容器衬底中的第二通孔，该第二通孔将该至少一个第二电容器单元电耦合到该多个第二凸块结构。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括包围该多个第一凸块结构和该第二电容器的底部填充材料。

11.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括设置在该重分布层与该基础衬底之间并电耦合到第三半导体芯片的第三电容器。

12.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括嵌入在该重分布层中并且电耦合到第三半导体芯片的第三电容器。