[发明专利]半导体封装结构

说明书

本发明提供半导体封装结构，可使半导体封装结构设计时具有更大的灵活性。在一个实施例中，一种半导体封装结构可包括：具有布线结构的基础衬底；设置在该基础衬底上的重分布层；设置在该重分布层上的第一半导体芯片；和设置在该基础衬底中并电耦合到该第一半导体芯片的第一电容器，其中该第一电容器包括：具有第一顶表面和第一底表面的第一电容器衬底；设置在该第一电容器衬底中的至少一个第一电容器单元；和设置在该第一电容器衬底中的第一通孔，该第一通孔将该至少一个第一电容器单元电耦合到位于该第一电容器衬底的该第一顶表面和该第一底表面上的该基础衬底的该布线结构。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术，特别是涉及一种包括电容器的半导体封装结构。

背景技术

提供电源电压以供应电子电路运作(operate)所需的电源。在运作过程中，电源电压可能以相对较高的强度提供瞬态电流(transient current)，从而导致电子电路运作不正常。为了提供更稳定的电源，在电源电压和地之间连接去耦电容器(一个或多个)，以为瞬态电流提供旁路路径(bypass path)。也就是说，去耦电容器起到临时电荷储存器的作用。

此外，去耦电容器可以通过稳定电流流动来减少电磁干扰(electromagneticinterference，EMI)问题的影响并提高信号性能。随着半导体封装结构逐渐小型化，EMI问题急剧增加，去耦电容器的重要性也随之增加。

尽管现有的半导体封装结构大概能满足需求，它们尚不能做到在各个方面都令人满意。例如，焊盘侧电容器(Land-Side Capacitor，LSC)的凸块结构被移除。这减少了电流密度和散热路径。在半导体芯片(semiconductor die)的运作过程中会产生热量。如果热量没有被充分去除，升高的温度可能会损坏一个或多个半导体组件。因此，需要进一步改进半导体封装结构。

发明内容

本发明提供半导体封装结构，可使半导体封装结构设计时具有更大的灵活性。

在一个实施例中，一种半导体封装结构可包括：具有布线结构的基础衬底；设置在该基础衬底上的重分布层；设置在该重分布层上的第一半导体芯片；和设置在该基础衬底中并电耦合到该第一半导体芯片的第一电容器，其中该第一电容器包括：具有第一顶表面和第一底表面的第一电容器衬底；设置在该第一电容器衬底中的至少一个第一电容器单元；和设置在该第一电容器衬底中的第一通孔，该第一通孔将该至少一个第一电容器单元电耦合到位于该第一电容器衬底的该第一顶表面和该第一底表面上的该基础衬底的该布线结构。

在另一个实施例中，一种半导体封装结构可包括：具有布线结构的基础衬底；设置在该基础衬底上的重分布层；设置在该重分布层上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；和设置在该重分布层和该基础衬底之间并电耦合到该第一半导体芯片和该第二半导体芯片的第一多电容器结构，其中该第一多电容器结构包括：电容器衬底；设置在该电容器衬底中的多个电容器单元和设置在电容器衬底中并将该多个电容器单元电耦合到该重分布层和该基础衬底的该布线结构的第一通孔。

如上所述，本发明实施例的半导体封装结构包括具有通孔的电容器，该通孔使得电容器可以电耦合到电容器两个表面上的其他组件。因此，使半导体封装结构设计时可以有更大的灵活性。

附图说明

图1是根据本发明的一些实施例的电容器100的截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体封装结构200的截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的一部分的截面图。

图4是根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的一部分的截面图。

图5是根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的一部分的截面图。

图6是根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的一部分的截面图。