[发明专利]一种图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将所述衬底区分为多个感光区域；

向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的预掺杂区；

对所述感光区域进行退火，形成所述光电二极管的掺杂区，且所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及

在所述衬底上沉积多晶硅层，并蚀刻所述多晶硅层，形成控制结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，在对所述感光区域注入离子时，所述注入离子的注入角度范围为15°～165°。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，在对所述感光区域进行退火时，退火的温度范围为800℃～1200℃。

4.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

衬底；

多个浅沟槽隔离结构，设置在所述衬底上，且所述浅沟槽隔离结构将所述衬底区分为多个感光区域；

光电二极管的掺杂区，设置在所述感光区域内，且所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及

控制结构，设置在所述衬底上。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底上还包括第一区域，所述第一区域位于所述感光区域的一侧，且所述第一区域的一端与所述感光区域连通。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第一区域呈“L”型。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底上还包括第二区域，所述第二区域位于所述感光区域的另一侧，且所述第二区域与所述第一区域的另一端垂直设置。

8.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管的掺杂区填满所述感光区域，且所述掺杂区与所述衬底的底部具有预设距离。

9.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述控制结构包括电荷积分开关，所述电荷节分开关设置在所述光电二极管的掺杂区上，且位于所述感光区域与所述第一区域的连接处。

10.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述控制结构包括信号放大开关，且所述信号放大开关设置在所述第一区域上。