[发明专利]一种图像传感器及其制造方法

说明书

本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述图像传感器的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将衬底区分为多个感光区域；向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的预掺杂区；对所述感光区域进行退火，形成所述光电二极管的掺杂区，所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及在所述衬底上沉积多晶硅层，并蚀刻所述多晶硅层，形成控制结构。通过本发明提供的一种图像传感器及其制造方法，可降低相邻光电二极管之间的串扰。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种图像传感器及其制造方法。

背景技术

图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，且被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话、传真机、扫描仪以及医疗电子等领域。

随着集成电路的不断发展，图像传感器中的光电二极管(Photo Diode，PD)的尺寸越来越小，每个光电二极管之间的间隔也越来越小。当光电极二极管的光强过大时，像素点产生的光电子饱和溢出到相邻像素单元，使得图片亮度过亮，溢出模糊，形成串扰。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制造方法，通过本发明提供的图像传感器及其制造方法，可降低相邻光电二极管之间的串扰。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将所述衬底区分为多个感光区域；

向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的预掺杂区；

对所述感光区域进行退火，形成所述光电二极管的掺杂区，所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及

在所述衬底上沉积多晶硅层，并蚀刻所述多晶硅层，形成控制结构。

在本发明一实施例中，在对所述感光区域注入离子时，所述注入离子的注入角度范围为15°～165°。

在本发明一实施例中，在对所述感光区域进行退火时，退火的温度范围为800℃～1200℃。

本发明还提供一种图像传感器，且所述图像传感器包括：

衬底；

多个浅沟槽隔离结构，设置在所述衬底上，且所述浅沟槽隔离结构将所述衬底区分为多个感光区域；

光电二极管的掺杂区，设置在所述感光区域内，且所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及

控制结构，设置在所述衬底上。

在本发明一实施例中，所述衬底上还包括第一区域，所述第一区域位于所述感光区域的一侧，且所述第一区域的一端与所述感光区域连通。

在本发明一实施例中，所述第一区域呈“L”型。

在本发明一实施例中，所述衬底上还包括第二区域，所述第二区域位于所述感光区域的另一侧，且所述第二区域与所述第一区域的另一端垂直设置。

在本发明一实施例中，所述光电二极管的掺杂区填满所述感光区域，且所述掺杂区与所述衬底的底部具有预设距离。

在本发明一实施例中，所述控制结构包括电荷积分开关，所述电荷节分开关设置在所述光电二极管的掺杂区上，且位于所述感光区域与所述第一区域的连接处。

在本发明一实施例中，所述控制结构包括信号放大开关，且所述信号放大开关设置在所述第一区域上。