[发明专利]一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构

权利要求书

1.一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，其特征在于：包括第一区域（1），第二区域（2），第三区域（3），第四区域（4），第五区域（5），第六区域（6），第七区域（7），第八区域（8），第九区域（9），第十区域（10），第十一区域（11），第十二区域（12），第十三区域（13），第十四区域（14），第十五区域（15），第十六区域（16），第十七区域（17），第十八区域（18），第一九一区域（191），第一九二区域（192），第二零一区域（201），第二零二区域（202），第二零三区域（203），第二零四区域（204），第二零五区域（205）；

所述第一区域（1）为内角为60度的扇形；所述第二区域（2）、第三区域（3）、第四区域（4）、第五区域（5）、第六区域（6）、第七区域（7）、第八区域（8）、第九区域（9）、第十区域（10）、第十一区域（11）、第十二区域（12）都为内角起始角度与所述第一区域（1）相同、半径依次递增的环形，并且后者的内环半径等于前者的外环半径，所述第十四区域（14）是位于所述第十二区域（12）的中轴延长线上的矩形，与中轴延长线垂直，并对称于所述中轴延长线；所述第十五区域（15）是位于所述第十四区域（14）内部中间的矩形；所述第一九一区域（191）和所述第一九二区域（192）为位于所述第十四区域（14）内部第十五区域（15）左右两侧的矩形；所述第十三区域（13）是一等边三角形减去所述第一区域（1）、第二区域（2）、第三区域（3）、第四区域（4）、第五区域（5）、第六区域（6）、第七区域（7）、第八区域（8）、第九区域（9）、第十区域（10）、第十一区域（11）、第十二区域（12）、第十四区域（14）、第十五区域（15）、第一九一区域（191）、第一九二区域（192）的剩余区域，所述等边三角形的高为所述第一区域（1）圆心到所述第十四区域（14）远离所述圆心的矩形长边中点之间的直线；所述第十六区域（16）为梯形，其上底与第十三区域（13）和第十四区域（14）相接，底角等于60°；所述第十七区域（17）为上底与所述第十六区域（16）的下底相接的相似梯形；所述第十八区域（18）为上底与所述第十七区域（17）的下底相接的相似梯形；第二百区域（200）为所述第一区域（1）、第二区域（2）、第三区域（3）、第四区域（4）、第五区域（5）、第六区域（6）、第七区域（7）、第八区域（8）、第九区域（9）、第十区域（10）、第十一区域（11）、第十二区域（12）、第十三区域（13）、第十四区域（14）、第十五区域（15）、第十六区域（16）、第十七区域（17）、第十八区域（18）、第一九一区域（191）、第一九二区域（192）的总和；第二零一区域（201）为所述第二百区域（200）逆时针转动60度得到，且与所述第二百区域（200）相接；第二零二区域（202）为所述第二零一区域（201）逆时针转动60度得到，且与所述第二零一区域（201）相接；第二零三区域（203）为所述第二零二区域（202）逆时针转动60度得到，且与所述第二零二区域（202）相接；第二零四区域（204）为所述第二零三区域（203）逆时针转动60度得到，且与所述第二零三区域（203）相接；第二零五区域（205）为所述第二零四区域（204）逆时针转动60度得到，且与所述第二零四区域（204）相接。

2.根据权利要求1所述的一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，其特征在于：所述第一区域（1）自上而下包含源极金属（33）、第一P型源区（241）。

3.根据权利要求1所述的一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，其特征在于：所述第二区域（2）自上而下包含源极金属（33）、第一N型源区（251）、第一P型井区（261）。

4.根据权利要求1所述的一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，其特征在于：所述第三区域（3）自上而下包含源极金属（33）、第一层间介质（321）、第一多晶硅（311）、第一栅氧化层（301）、第一N型源区（251）、第一P型井区（261）。