[发明专利]非易失性存储器及其版图结构

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：

至少一条字线、至少一条控制栅线和至少一个电性存储位，每个所述电性存储位包括两个存储单元，所述存储单元用于存储数据，所述电性存储位的存储单元呈阵列排布，位于同一所述电性存储位的两个所述存储单元位于同一列，位于同一所述电性存储位的两个所述存储单元和位于同一行的所述电性存储位的两个所述存储单元电性连接至同一条字线和同一条控制栅线; 每个所述存储单元包括一选择晶体管和一控制晶体管，所述控制晶体管包括第一源极和第一漏极，所述选择晶体管包括第二源极和第二漏极，位于同一存储单元的所述选择晶体管的所述第二漏极与所述控制晶体管的所述第一漏极电性连接，位于同一电性存储位的两个所述控制晶体管的所述第一源极电性连接，且位于同一所述电性存储位的两个所述选择晶体管的所述第二源极通过一位线电性连接；其中，进行读取时，选中一电性存储位的存储单元进行读取。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制晶体管还包括位于所述第一源极和所述第一漏极之间的控制栅，位于同一所述电性存储位的两个所述存储单元的控制晶体管的控制栅电性连接至同一条所述控制栅线；所述选择晶体管还包括位于所述第二源极和所述第二漏极之间的选择栅，位于同一所述电性存储位的两个所述存储单元的选择晶体管的选择栅电性连接至同一条所述字线。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器还包括至少一条源线，所述源线电性连接至所述控制晶体管的所述第一源极。

4.一种如权利要求1~3中任一项所述的非易失性存储器版图结构，其特征在于，所述非易失性存储器版图结构包括：

至少一个字线图形、至少一个控制栅图形和至少一个有源区图形，所述有源区图形用于定义电性存储位，每个所述有源区图形包括两个连接为一体的有源区子图形，所述有源区子图形用于定义存储单元，所述有源区图形的两个所述有源区子图形与同一所述字线图形相对应，以及所述有源区图形的两个所述有源区子图形与同一所述控制栅图形相对应;每个所述有源区子图形包括第一有源区子图形和第二有源区子图形，所述第一有源区子图形和第二有源区子图形相连接，所述第一有源区子图形用于定义选择晶体管，所述第二有源区子图形用于定义控制晶体管，且所述第一有源区子图形的宽度大于所述第二有源区子图形的宽度，其中，所述有源区图形沿着第一方向延伸，所述有源区图形的两个所述第二有源区子图形相连接。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器版图结构，其特征在于，所述字线图形包括沿着第二方向延伸的两个字线子图形和沿着所述第一方向延伸的一个字线连接图形，所述两个字线子图形分别连接在所述字线连接图形的两个端部，其中，所述两个字线子图形分别横跨所述有源区图形的两个所述第一有源区子图形。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器版图结构，其特征在于，所述控制栅图形包括沿着第二方向延伸的两个控制栅子图形和沿着所述第一方向延伸的一个控制栅连接图形，所述两个控制栅子图形分别连接在所述控制栅连接图形的两个端部，其中，所述两个控制栅子图形分别横跨所述有源区图形的两个所述第二有源区子图形。

7.如权利要求5所述的非易失性存储器版图结构，其特征在于，所述非易失性存储器版图结构还包括源线图形和两个源线接触图形，所述源线图形的两端各设有一个所述源线接触图形，其中，所述源线图形沿着所述第二方向延伸并与所述有源区图形的两个所述第二有源区子图形连接为一体。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器版图结构，其特征在于，所述有源区图形、所述控制栅图形以及所述字线图形中均设置有多个并列排布的接触孔图形，以及所述源线接触图形中设置有至少一个所述接触孔图形。