[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210529991.7 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN115207081A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;喻鹏飞;张克正;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成半导体装置的方法，包括：
形成一超晶格结构在设置于一基板上的一鳍式结构上，该超晶格结构具有以交替配置排列的第一及第二纳米结构层；
形成一源极/漏极区于该鳍式结构上；
形成一纳米结构区，该纳米结构区穿过该超晶格结构；
形成一栅极结构，该栅极结构绕着一第一轴线围绕该纳米结构区并绕着一第二轴线围绕该些第一纳米结构层，该第二轴线不同于该第一轴线；以及
形成多个接触结构于该S/D区及该栅极结构上。
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