[发明专利]图案化的方法

权利要求书

1.一种图案化的方法，包括：

在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及

沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在引导所述离子之前所述多个孔具有沿所述第一方向的初始间隔距离，并且在引导所述离子之后具有沿所述第一方向的最终间隔距离，所述最终间隔距离小于所述初始间隔距离。

3.根据权利要求2所述的方法，其中初所述初始间隔距离为约10纳米，所述最终间隔距离为小于10纳米。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个孔包括多个沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个孔包括多个通孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子由从离子源以相对于所述衬底平面非正交角引导的带状束沿所述轨迹提供。

7.根据权利要求2所述的方法，其中在引导所述离子之前，通过第一光刻工艺产生所述多个孔的所述初始间隔距离。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述最终间隔距离被赋予到所述多个孔中，而无需额外的光刻工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其中通过相对于第二方向选择性地蚀刻沿所述第一方向的所述多个孔的侧壁，沿所述第一方向增加所述多个孔的第一孔尺寸，所述第二方向位于所述衬底平面内并垂直于所述第一方向延伸。

10.根据权利要求9所述的方法，其中多个所述离子在第一曝光中提供，其中所述第一曝光还包括将第二多个离子引导至与第一侧壁相对的第二侧壁，其中所述第一曝光沿着与所述第一方向相反的第三方向选择性地蚀刻所述第二侧壁。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个孔的位置不因所述第一曝光而偏移。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个孔在引导所述离子之前包括圆形，并且在引导所述离子之后包括细长形状。

13.根据权利要求1所述的方法，其中多个所述离子在含有反应性物质的反应性气氛中提供。

14.根据权利要求1所述的方法，其中多个所述离子撞击所述多个孔内的第一层下方的第二层，其中第一离子相对于所述第二层选择性地蚀刻所述第一层内的所述多个孔。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在引导多个所述离子之后，进行蚀刻以将多个空穴转移到所述第二层中，其中所述蚀刻发生在沿垂直于所述衬底平面的垂直方向上。