[发明专利]图案化的方法

说明书

一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。

本申请是中国申请号为201680048977.8，发明名称为“将衬底图案化的方法”的专利申请的分案申请，原申请的申请日是2016年6月2日。

技术领域

本发明实施例涉及晶体管加工技术，且更具体而言，涉及将衬底图案化的方法。

背景技术

随着半导体装置继续按比例缩放至更小的尺寸，将特征图案化的能力变得愈发难以实现。一方面，这些困难包括对于给定的技术世代而言获得具有目标大小的特征的能力。另一困难为获得经图案化特征的正确形状及堆积密度(packing density)的能力、以及获得对在先前加工操作中所图案化的结构进行正确覆盖的能力。

在另一实例中，覆盖误差(overlay error)代表对将光刻技术扩展至高级节点的挑战。尽管已使用多重图案化(multi-patterning)来解决特征的线条宽度及线条节距的减小，然而覆盖成为越来越大的挑战。一个原因是随着特征线条/空间的减小，覆盖需求变得更小。第二个原因是随着多个切割掩模(cut mask)正投入使用，出现了衬底上的切割掩模与其他特征之间的多重覆盖问题。

针对这些及其他考量，本发明的改良可为有用的。

发明内容

提供此发明内容是为了以简化形式介绍以下在具体实施方式中所进一步阐述的一系列概念。此发明内容并非旨在识别所主张主题的关键特征或本质特征，且此发明内容也并非旨在帮助确定所主张主题的范围。

在一个实例中，一种将衬底图案化的方法可包括：在所述衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中所述第二方向垂直于所述第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于所述衬底平面的垂线以非零入射角沿所述第一方向将第一曝光中的第一离子引导至所述表面特征；其中所述第一曝光沿所述第一方向蚀刻所述表面特征，其中在所述引导之后，所述表面特征保持沿所述第二方向的所述第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿所述第一方向的不同于所述第一尺寸的第三尺寸。

在另一实施例中，一种将衬底图案化的方法可包括：在所述衬底上提供具有至少一个孔的层；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至所述层；其中所述第一曝光利用所述第一离子及所述反应性气氛增大所述孔沿所述第一方向的第一孔尺寸，而不增大所述孔沿与所述第一方向垂直的第二方向的第二孔尺寸。

在另一实施例中，一种将衬底图案化的方法可包括：确定在用于光刻工艺的相邻掩模特征之间的临限间距；在所述衬底上提供层；利用第一光刻掩模形成第一组孔，所述第一光刻掩模的相邻特征之间所具有的间距不小于所述临限间距；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至所述层，其中在所述第一曝光之后所述第一组孔的至少两个孔由沿所述第一方向的第一最终孔间隔表征，所述第一最终孔间隔小于所述临限间隔。

附图说明

图1A示出根据本发明的各种实施例来加工装置结构的侧视图。

图1B示出在根据图1A所示情景加工所述装置结构之后的侧视图。

图1C示出图1A所示情景的俯视平面图。

图1D示出图1B所示情景的俯视平面图。

图2A示出根据本发明的各种实施例来加工装置结构的侧视图。

图2B说明在根据图2A所示情景加工所述装置结构之后的侧视图。