[发明专利]一种驱动电路、驱动芯片以及电子设备

权利要求书

1.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一晶体管、跨导线性环以及反馈模块，所述跨导线性环包括第一组件与第二组件，所述第一组件与所述第一晶体管电连接，所述反馈模块包括第二晶体管，所述第二组件分别与所述反馈模块、所述第二晶体管电连接；其中，

所述第一晶体管的输出端电压变化跟随所述第二晶体管的输出端电压变化；

所述第一组件为所述第一晶体管提供驱动电压，且所述第一组件工作于AB类放大状态；其中，

所述第一组件包括第三晶体管与第四晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端互连，并与所述第一晶体管的控制端电连接，所述第三晶体管的第二端连接于电源，所述第四晶体管的第二端接地，所述第三晶体管与所述第四晶体管的控制端均与所述第二组件电连接；

所述第二组件包括第五晶体管与第六晶体管，所述第五晶体管的第一端分别与所述第六晶体管的第一端、所述反馈模块电连接，所述第五晶体管的第二端与偏置电路电连接，且所述第五晶体管的第二端与控制端互连，所述第六晶体管还与所述反馈模块连接，并与所述反馈模块组成负反馈回路，所述第五晶体管与所述第六晶体管的控制端还分别与所述第三晶体管、所述第四晶体管的控制端电连接；其中，

所述第三晶体管与所述第五晶体管的宽长比等于所述第四晶体管与所述第六晶体管的宽长比。

2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第五晶体管包括NMOS管，所述第六晶体管包括PMOS管，所述第五晶体管的栅极与漏极互连，所述第五晶体管的源极与所述第六晶体管的源极、所述反馈模块连接，所述第六晶体管的漏极接地，所述第六晶体管的栅极、源极均与所述反馈模块电连接，所述第五晶体管、所述第六晶体管的栅极还分别与所述第三晶体管、所述第四晶体管的控制端电连接。

3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第三晶体管包括NMOS管，所述第四晶体管包括PMOS管，所述第三晶体管、所述第四晶体管的栅极均与所第二组件电连接，所述第三晶体管的漏极与电源连接，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的源极互连并连接于所述第一晶体管的控制端，所述第四晶体管的漏极接地。

4.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括第一阻隔模块与第二阻隔模块，所述第一阻隔模块、所述第二阻隔模块均分别与所述第一组件、第二组件相连；其中，

所述第一阻隔模块与所述第二阻隔模块均用于隔离直流并通过交流信号。

5.如权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述第一阻隔模块、所述第二阻隔模块均包括单级或多级无源滤波器。

6.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述反馈模块还包括反馈电路、第七晶体管以及运算放大器，所述第二晶体管的第一端连接电源，所述反馈电路与所述第二晶体管的第二端、所述运算放大器的反相输入端电连接，所述运算放大器的同相输入端用于输入一参考电压，所述运算放大器的输出端分别与所述第七晶体管的第一端、所述第二组件电连接，所述第七晶体管的第二端用于连接一偏置电路，所述第七晶体管的控制端分别与所述第二组件、所述第二晶体管的控制端电连接；其中，

所述反馈模块与所述第二组件组成负反馈回路，以确定所述第二晶体管的第二端的电压。

7.一种驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片包括稳压电路、增强型GaN开关以及如权利要求1至6任一项所述的驱动电路，所述驱动电路分别与所述稳压电路、所述增强型GaN开关电连接，所述稳压电路、增强型GaN开关以及所述驱动电路封装于一体。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括稳压电路、增强型GaN开关以及如权利要求1至6任一项所述的驱动电路，所述驱动电路分别与所述稳压电路、所述增强型GaN开关电连接。