[发明专利]一种用于锑化铟单晶片的抛光方法在审
| 申请号： | 202210537943.2 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114800058A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王永净;陈基生 | 申请（专利权）人： | 厦门华芯晶圆半导体有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B51/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 青海中赢知识产权代理事务所(普通合伙) 63104 | 代理人： | 高清峰 |
| 地址： | 361021 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锑化铟单 晶片 抛光 方法 | ||
1.一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、粗抛光：采用抛光布PV2700，设置抛光压力为200-220g/cm2，转速50-60r/min，抛光液A流量为200-210mL/min，对锑化铟单晶片于抛光机上进行粗抛光，结束后，对晶片进行超声清洗、甩干，使晶片表面干燥清洁；
S2、中抛光：采用抛光布Suba400，设置抛光压力为120-150g/cm2，转速为30-40r/min，抛光液B流量为300-320mL/min，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光，结束后，再次对晶片进行超声清洗、甩干，使晶片表面干燥清洁；
S3、精抛光：采用抛光布CP，设置抛光压力为90-100g/cm2，转速为20-30r/min，抛光液C流量为400-420mL/min，同时加入稳定剂，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光，直至锑化铟晶片的表面在放大100倍的显微镜下无划伤，即可完成精抛光。
2.根据权利要求1所述的一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，其特征在于，所述S1中粗抛光所用的抛光液A为高氯酸钠、二氧化硅和水按体积比1:1:10组成的混合液。
3.根据权利要求1所述的一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，其特征在于，所述S2中中抛光所用的抛光液B为二氧化硅、次氯酸钠和水按体积比1:0.8:20组成的混合液。
4.根据权利要求1所述的一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，其特征在于，所述S3中精抛光所用的抛光液C为二氧化硅、双氧水和硝酸铁按体积比1:0.3:10组成的混合液。
5.根据权利要求1所述的一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，其特征在于，所述稳定剂为磷酸，且稳定剂的抛光液C重量的0.5％-0.7％。
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