[发明专利]一种用于锑化铟单晶片的抛光方法

说明书

本发明涉及锑化铟晶片表面处理技术领域，尤其涉及一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，包括以下步骤：S1、采用抛光布PV2700，设置抛光压力、转速、抛光液A流量，对锑化铟单晶片于抛光机上进行粗抛光；S2、采用抛光布Suba400，设置抛光压力、转速、抛光液B流量，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光；S3、采用抛光布CP，设置抛光压力、转速、抛光液C流量，同时加入稳定剂，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光。相比于现有技术，本发明可以在实现对锑化铟晶片的厚度及表面粗糙度的控制基础上，有效地提高抛光效率。

技术领域

本发明涉及锑化铟晶片表面处理技术领域，尤其涉及一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。

背景技术

在Ⅲ-Ⅴ族半导体中，锑化铟具有最窄的禁带宽度，最高的电子迁移率，最小的电子有效质量和最大的电子磁矩，使其成为合格的红外探测材料，并在高速低功率场效应晶体管和超高速低功耗数字逻辑电路领域极具应用潜力。

锑化铟单晶在应用前需要经过切割将单晶规整为单晶片，再经过研磨去除单晶切割留下的痕迹，最后通过抛光使表面达到全局平坦化，达到使用要求。但是目前的工艺仅有两次抛光，且抛光效果并不佳。因此，我们提出了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法用于解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。

一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，包括以下步骤：

S1、粗抛光：采用抛光布PV2700，设置抛光压力为200-220g/cm²，转速50-60r/min，抛光液A流量为200-210mL/min，对锑化铟单晶片于抛光机上进行粗抛光，结束后，对晶片进行超声清洗、甩干，使晶片表面干燥清洁；

S2、中抛光：采用抛光布Suba400，设置抛光压力为120-150g/cm²，转速为30-40r/min，抛光液B流量为300-320mL/min，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光，结束后，再次对晶片进行超声清洗、甩干，使晶片表面干燥清洁；

S3、精抛光：采用抛光布CP，设置抛光压力为90-100g/cm²，转速为20-30r/min，抛光液C流量为400-420mL/min，同时加入稳定剂，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光，直至锑化铟晶片的表面在放大100倍的显微镜下无划伤，即可完成精抛光。

优选的，所述S1中粗抛光所用的抛光液A为高氯酸钠、二氧化硅和水按体积比1:1:10组成的混合液。

优选的，所述S2中中抛光所用的抛光液B为二氧化硅、次氯酸钠和水按体积比1:0.8:20组成的混合液。

优选的，所述S3中精抛光所用的抛光液C为二氧化硅、双氧水和硝酸铁按体积比1:0.3:10组成的混合液。

优选的，所述稳定剂为磷酸，且稳定剂的抛光液C重量的0.5％-0.7％。

相比于现有技术，本发明的有益效果是：

在本发明中，通过设置粗抛光、中抛光和精抛光三个阶段，分别实现对锑化铟晶片的厚度及表面粗糙度的控制，同时，在精抛光的阶段采用双氧水、硝酸铁和二氧化硅的混合溶液作为抛光液，在双氧水和硝酸铁混合作用下，可以生成氧化性更强的过氧氢氧自由基，并且向抛光液中添加一定量的稳定剂，可以防止双氧水分解，从而使得氧化层的形成速度进一步加快，进而有效地提高了抛光效率。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。

实施例1：

一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，包括以下步骤：