[发明专利]发光器件及其制作方法在审

申请号：	202210543681.0	申请日：	2022-05-18
公开（公告）号：	CN114975731A	公开（公告）日：	2022-08-30
发明（设计）人：	尹红山	申请（专利权）人：	TCL华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L33/50	分类号：	H01L33/50;H01L33/00;H01L51/50;H01L51/56
代理公司：	深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570	代理人：	黄舒悦
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	发光器件及其制作方法
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【权利要求书】：

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

发光结构，设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧，以及

光致发光层，设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底与所述发光结构构成倒装LED芯片。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构包括第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、第一电极以及第二电极；

其中，所述第一半导体层设置在所述第一表面上，所述多量子阱发光层和所述第一电极位于同一层，且间隔设置在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二半导体层设置在所述多量子阱发光层远离所述衬底的一侧，所述第二电极设置在所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述第二半导体层连接。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极设置在所述多量子阱发光层的一侧或围绕所述多量子阱发光层设置。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光致发光层在所述衬底上的正投影覆盖所述发光结构在所述衬底上的正投影。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构发射具有第一波长的光，所述光致发光层发射具有第二波长的光，所述第一波长小于或大于所述第二波长。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构发射蓝光或紫外光，所述光致发光层的材料为量子点或有机发光材料。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构发射红光，所述光致发光层的材料为上转换纳米材料。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光致发光层的厚度大于0且小于200微米。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括透明保护层，所述透明保护层设置在所述光致发光层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述光致发光层。

11.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；

在所述第一表面上形成多个发光结构，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧；

在所述第二表面上形成多个光致发光层，所述光致发光层与所述发光结构一一对应设置；

切割得到多个所述发光器件。