[发明专利]发光器件及其制作方法

说明书

本申请公开一种发光器件及其制作方法。发光器件包括衬底、发光结构以及光致发光层。其中，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面。所述发光结构设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧。所述光致发光层设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。本申请能够保证具有相同发光结构的多个发光器件具有相同的发光波长，从而提高发光器件的质量和发光效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

随着显示技术与面板行业的不断发展，不同的发光器件在显示装置中得到了广泛应用。比如，MLED(Mini/Micro Light-Emitting Diode，微发光二极管)显示技术作为新一代显示技术，既具有高效率、高亮度、高可靠性以及极快的反应时间等特点，又具有自发光无需背光源、体积小、轻薄、具有节能效果的特性。MLED显示装置中就需要巨量转移MLED芯片作为显示光源。

但是，由于制程等原因，对于同一批次生产，且具有相同发光结构的多个发光器件而言，虽然发光颜色相同，但发光波长可能不一致，从而影响发光器件的质量，进而影响显示装置的显示效果。

发明内容

本申请提供一种发光器件及其制作方法，以解决现有技术中同种颜色的多个发光器件的发光波长不一致，从而影响发光器件的质量及发光效果的技术问题。

本申请提供一种发光器件，其包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

发光结构，设置在所述第一表面上，所述发光结构朝向所述第二表面的一侧为所述发光结构的出光侧，以及

光致发光层，设置在所述第二表面上，所述光致发光层与所述发光结构对应设置。

可选的，在本申请一些实施例中，所述衬底与所述发光结构构成倒装LED芯片。

可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构包括第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、第一电极以及第二电极；

所述第一半导体层设置在所述第一表面上，所述多量子阱发光层和所述第一电极位于同一层，且间隔设置在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二半导体层设置在所述多量子阱发光层远离所述衬底的一侧，所述第二电极设置在所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述第二半导体层连接。

可选的，在本申请一些实施例中，所述第一电极设置在所述多量子阱发光层的一侧或围绕所述多量子阱发光层设置。

可选的，在本申请一些实施例中，所述光致发光层在所述衬底上的正投影覆盖所述发光结构在所述衬底上的正投影。

可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构发射具有第一波长的光，所述光致发光层发射具有第二波长的光，所述第一波长小于或大于所述第二波长。

可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构发射蓝光或紫外光，所述光致发光层的材料为量子点或有机发光材料。

可选的，在本申请一些实施例中，所述发光结构发射红光，所述光致发光层的材料为上转换纳米材料。

可选的，在本申请一些实施例中，所述光致发光层的厚度大于0且小于200微米。

可选的，在本申请一些实施例中，所述发光器件还包括透明保护层，所述透明保护层设置在所述光致发光层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述光致发光层。

相应的，本申请还提供一种发光器件的制作方法，其包括：

提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；