[发明专利]显示器件及其制备方法有效
申请号: | 202210549391.7 | 申请日: | 2022-05-20 |
公开(公告)号: | CN114665047B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 庄永漳;仉旭 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L27/15;G02B3/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了显示器件及其制备方法,属于半导体器件技术领域,该制备方法包括提供显示装置,显示装置包括阵列排布的多个像素点;在像素点上方形成栅格层,栅格层包括阵列排布的多个栅格孔,栅格孔相对于像素点设置,像素点发出的光通过栅格孔出射;在栅格层上形成微透镜阵列,微透镜阵列包括阵列排布的多个微透镜单元,微透镜单元相对于栅格孔设置,且微透镜单元覆盖栅格孔。该方法在像素点上方设置栅格孔,并在栅格孔上覆盖微透镜单元,使得像素点发出的光能够被微透镜单元准直、聚拢;由于微透镜单元覆盖栅格孔,使得微透镜单元更容易通过栅格孔与像素点对齐定位,从而降低了制备的难度,提高加工良率。
技术领域
本申请属于半导体器件技术领域,具体涉及显示器件及其制备方法。
背景技术
Micro-LED又称微型发光二极管,是指高密度集成的LED阵列,阵列中的LED像素点距离在0.1-10微米量级,每一个LED像素都能自发光。由于同等面积的芯片上可以获得更高的集成数量,极大地提高了Micro-LED微显示的集成密度,从而提升显示分辨率,同时保证高亮度,可以实现低能耗,高亮度,高分辨率的微型显示器设计。
目前,一些微显示器件采用设置Micro-lens(微透镜)的方式提升Micro-LED的发光效率,但是,在Micro-LED的像素点上方直接制备Micro-lens时,难以将像素点和Micro-lens对准定位,存在制备难度大,产品良率不高的缺陷。
发明内容
发明目的:本申请提供显示器件的制备方法,目的在于克服现有技术中,通过设置Micro-lens的方式提升发光效率时,难以将Micro-lens与像素点对准定位,导致制备难度大的缺陷;本申请的另一目的是提供显示器件。
技术方案:本申请所述的显示器件的制备方法,包括:
提供显示装置,所述显示装置包括阵列排布的多个像素点;
在所述像素点上方形成栅格层,所述栅格层包括阵列排布的多个栅格孔,所述栅格孔相对于所述像素点设置,所述像素点发出的光通过所述栅格孔出射;
在所述栅格层上形成微透镜阵列,所述微透镜阵列包括阵列排布的多个微透镜单元,所述微透镜单元相对于所述栅格孔设置,且所述微透镜单元覆盖所述栅格孔。
在一些实施例中,所述像素点呈现阵列式排布,形成像素点阵列;所述像素点选自选有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)、液晶显示器(LCD,LiquidCrystal Display)和微型发光二极管中任意一种。所述像素点发出的光为红光、绿光、蓝光、黄光或紫外光中的任意一种或者多种。
在一些实施例中,形成所述栅格层包括:
在所述像素点上方形成栅格层涂层,刻蚀所述栅格层涂层形成所述栅格孔。
在一些实施例中,所述栅格层涂层为形成于所述显示装置上方的整层结构。
在一些实施例中,所述栅格层涂层覆盖在所述显示装置上方。
在一些实施例中,所述栅格层涂层为覆盖在阻挡层上方的整层结构。
在一些实施例中,采用干法刻蚀工艺在所述栅格层涂层形成所述栅格孔。
在一些实施例中,采用光刻工艺在所述栅格层涂层形成所述栅格孔。
在一些实施例中,还包括:
在形成所述微透镜阵列之前,在所述栅格层上形成透明层,所述透明层填充所述栅格孔,所述微透镜阵列覆盖在所述透明层上方。
在一些实施例中,所述微透镜单元填充所述栅格孔。
在一些实施例中,所述微透镜单元在所述栅格层上的投影大于所述栅格孔在所述栅格层上的投影。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镭昱光电科技(苏州)有限公司,未经镭昱光电科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210549391.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种快装式太阳能板的组装机床
- 下一篇:含中风化岩层地连墙成槽施工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择