[发明专利]用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：

第一层；

第二层；以及

主层，设置在所述第一层和所述第二层之间并且包括多个纳米管，其中：

所述第一层或所述第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其中，所述第一层包括第一二维材料并且所述第二层包括第二二维材料。

3.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述第一二维材料和所述第二二维材料的每个包括选自由氮化硼(BN)、石墨烯、MoS₂、MoSe₂、WS₂和WSe₂组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的薄膜，其中，所述第一二维材料与所述第二二维材料不同。

5.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述第一层和所述第二层的每个的厚度在从0.3nm至3nm的范围内。

6.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述第一二维材料和所述第二二维材料的每个的所述一个或多个二维层的数量为1至20。

7.根据权利要求1所述的薄膜，其中，密封所述第一层和所述第二层以完全包封所述主层。

8.根据权利要求7所述的薄膜，还包括：保护层，设置在所述第一层和所述第二层上方。

9.一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：

第一层；

第二层；以及

主层，设置在所述第一层和所述第二层之间，

其中，所述主层包括多个第一纳米管和与所述多个第一纳米管不同的多个第二纳米管。

10.一种制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法，包括：

在支撑衬底上方形成纳米管层；

在所述纳米管层上方形成第一覆盖层；

在所述第一覆盖层上方形成薄膜框架；

切割所述纳米管层和所述第一覆盖层以形成切割的薄膜膜片；

形成第二层以完全包封所述切割的薄膜膜片的由利用所述切割的薄膜膜片的所述第一层密封的所述纳米管层；以及

在所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述薄膜框架上方形成保护层。