[发明专利]用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法

说明书

用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。

技术领域

本申请的实施例涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。

背景技术

薄膜是在框架上方拉伸的薄透明膜，该薄膜粘在光掩模的一侧上方，以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气。在EUV光刻中，通常需要在EUV波长区域具有高透明度、高机械强度和低热膨胀的薄膜。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：第一层；第二层；以及主层，设置在所述第一层和所述第二层之间并且包括多个纳米管，其中：所述第一层或所述第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。

本申请的另一些实施例提供了一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：第一层；第二层；以及主层，设置在所述第一层和所述第二层之间，其中，所述主层包括多个第一纳米管和与所述多个第一纳米管不同的多个第二纳米管。

本申请的又一些实施例提供了一种制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法，包括：在支撑衬底上方形成纳米管层；在所述纳米管层上方形成第一覆盖层；在所述第一覆盖层上方形成薄膜框架；切割所述纳米管层和所述第一覆盖层以形成切割的薄膜膜片；形成第二层以完全包封所述切割的薄膜膜片的由利用所述切割的薄膜膜片的所述第一层密封的所述纳米管层；以及在所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述薄膜框架上方形成保护层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A、图1B和图1C示出了根据本发明的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的各个视图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G示出了根据本发明的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的网路膜的各个视图。

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I和图3J示出了根据本发明的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的网路膜的各个视图。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F示出了根据本发明的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的各个视图。

图5A示出了根据本发明的实施例的网路膜的制造工艺，并且图5B示出了根据本发明的实施例的其流程图。

图6示出了根据本发明的实施例的网路膜的制造工艺。

图7A和图7B示出了根据本发明的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。

图8A和图8B示出了根据本发明的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。

图9A和图9B示出了根据本发明的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。

图10A和图10B示出了根据本发明的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。

图11A和图11B示出了根据本发明的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。图11C和图11D示出了根据本发明的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图。