[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

金属基座；

绝缘基板，其配置于所述金属基座之上；

半导体元件，其搭载于所述绝缘基板之上；以及

壳体，其以将所述绝缘基板及所述半导体元件的侧面包围的方式粘接于所述金属基座之上，

在所述金属基座之上的周缘部设置有凸起状的成对的第1金属氧化膜，

所述壳体通过在成对的所述第1金属氧化膜之间的区域配置的粘接剂而粘接于所述金属基座。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

成对的所述第1金属氧化膜沿所述金属基座之上的周缘部而线状地形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在所述金属基座之上的周缘部以将成对的所述第1金属氧化膜的侧面包围的方式设置有凸起状的成对的第2金属氧化膜。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

成对的所述第2金属氧化膜的上端的高度位置比成对的所述第1金属氧化膜的上端的高度位置高。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述金属基座的角部设置有螺纹紧固用的贯通孔，

在所述壳体的与所述金属基座的所述贯通孔相对的位置设置有螺纹紧固用的孔部，

所述壳体与所述金属基座经由所述孔部和所述贯通孔而被螺纹紧固。

6.一种半导体装置的制造方法，其具有：

工序(a)，将绝缘基板接合于金属基座之上，在所述绝缘基板之上搭载半导体元件；

工序(b)，在所述金属基座之上的周缘部形成凸起状的成对的第1金属氧化膜；

工序(c)，在成对的所述第1金属氧化膜之间的区域涂敷粘接剂；

工序(d)，通过所述粘接剂而将壳体粘接于所述金属基座之上；

工序(e)，将在所述壳体设置的引线电极与所述半导体元件接合；以及

工序(f)，向所述壳体的内部填充封装树脂。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(b)中，成对的所述第1金属氧化膜是通过对所述金属基座之上的周缘部施加激光能量而形成的。