[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够抑制壳体与金属基座之间的粘接所用的粘接剂的润湿扩展，确保将在壳体与金属基座之间产生的间隙填埋所需的粘接剂的高度位置的技术。半导体装置具有：金属基座(1)；绝缘基板(2)，其配置于金属基座(1)之上；半导体元件(4)，其搭载于绝缘基板(2)之上；以及壳体(7a)，其以将绝缘基板(2)及半导体元件(4)的侧面包围的方式粘接于金属基座(1)之上，在金属基座(1)之上的周缘部设置有凸起状的成对的金属氧化膜(8)，壳体(7a)通过在成对的金属氧化膜(8)之间的区域配置的粘接剂(5)而粘接于金属基座(1)。

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

当前，存在具有如下构造的半导体装置，即，为了实现高电流密度及高可靠性，在壳体设置的引线电极通过焊料等接合材料而与在金属基座之上的绝缘基板处搭载的半导体元件接合。就这样的半导体装置而言，为了通过保护内部免受湿度等外部环境的损害而确保高绝缘耐压、得到高可靠性，在壳体的内部填充封装树脂。

另外，在专利文献1中公开了如下技术，即，通过在散热板(相当于金属基座)形成成为粘接剂储存部的槽，在将封装壳体(相当于壳体)与散热板粘接时使粘接剂层局部地变厚，从而提高半导体装置的气密性。

专利文献1：日本特开2000-323593号公报

就以往的半导体装置而言，在壳体与金属基座之间的粘接工序中，如果在粘接剂的涂敷之后经由粘接剂而使壳体完成与金属基座密接的时间变长，则粘接剂润湿扩展。如果在粘接剂发生了润湿扩展的状态下，经由粘接剂而使壳体粘接于金属基座，则粘接剂漫延至金属基座的下表面，粘接剂的高度位置变低。其结果，无法确保将由于金属基座的弯曲或壳体与金属基座之间的形状差异而产生的壳体与金属基座之间的间隙填埋所需的粘接剂的高度位置。

在专利文献1所记载的技术中，通过在散热板设置有成为粘接剂储存部的槽而使粘接剂层局部地变厚，但也无法确保粘接剂的高度位置。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够抑制壳体与金属基座之间的粘接所用的粘接剂的润湿扩展，确保将在壳体与金属基座之间产生的间隙填埋所需的粘接剂的高度位置的技术。

本发明涉及的半导体装置具有：金属基座；绝缘基板，其配置于所述金属基座之上；半导体元件，其搭载于所述绝缘基板之上；以及

壳体，其以将所述绝缘基板及所述半导体元件的侧面包围的方式粘接于所述金属基座之上，在所述金属基座之上的周缘部设置有凸起状的成对的第1金属氧化膜，所述壳体通过在成对的所述第1金属氧化膜之间的区域配置的粘接剂而粘接于所述金属基座。

发明的效果

根据本发明，壳体与金属基座之间的粘接所用的粘接剂被凸起状的成对的第1金属氧化膜拦截，因此抑制了粘接剂的润湿扩展。由此，能够确保将在壳体与金属基座之间产生的间隙填埋所需的粘接剂的高度位置。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。

图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的壳体粘接前的状态的俯视图。

图3是用于对实施方式1涉及的半导体装置的组装流程进行说明的剖视图。

图4是用于对实施方式1涉及的半导体装置的组装流程进行说明的剖视图。

图5是用于对实施方式1涉及的半导体装置的组装流程进行说明的剖视图。

图6是表示实施方式2涉及的半导体装置的壳体安装前的状态的俯视图。

图7是表示实施方式2涉及的半导体装置的壳体安装前的状态的剖视图。

图8是表示实施方式3涉及的半导体装置的壳体安装前的状态的俯视图。