[发明专利]化学镀Co-W镀膜和化学镀Co-W镀液

说明书

本发明提供一种新的化学镀镀膜以及适合该化学镀镀膜的化学镀镀液。本发明提供的化学镀Co‑W镀膜中的W含量为35～58质量％，且所述化学镀Co‑W镀膜的膜厚为0.05μm以上。本发明的化学镀镀膜能够防止熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中。

技术领域

本发明涉及化学镀Co-W镀膜和化学镀Co-W镀液。

背景技术

在半导体的制备工序中，为了防止熔融焊料扩散到构成形成于基板上的配线焊盘等的导体的金属材料中，在焊料处理前在导体上进行例如化学镀Ni镀覆处理。然而，由于焊料处理温度随着焊料材料的无铅化而高温化，因此熔融焊料扩散到金属材料中，配线焊盘的导电性显著降低等，焊料接合部的连接可靠性恶化。

作为上述问题的对策，例如使用高磷型的Ni-P镀液在基板的金属材料上形成厚10μm左右的化学镀Ni-P镀膜。

另外，作为改善化学镀Ni-P镀膜和焊料的润湿性的技术，例如广泛使用在基板的金属材料上层叠化学镀Ni-P镀膜和膜厚0.05μm左右的化学镀Au镀膜的技术(Ni/Au镀膜)。

但是，如果使用无铅焊料，则由于回流的反复而Ni镀膜消失，或粘附性降低而接合部的连接可靠性降低，作为其对策，例如在专利文献1中公开了控制Ni/Au镀膜的镀金层的厚度。另外，专利文献2中公开了除去Ni/Au镀膜的Ni镀膜表面的Ni从而形成富P表层的技术。

现有技术文件

专利文献

专利文献1：日本发明专利公开公报特开2002-327279号

专利文献2：日本发明专利公开公报特开2010-147245号

发明内容

近年来，由于对半导体基板的高密度安装的要求，导体的窄间距化、微配线化不断发展，焊料接合部也要求薄膜化。然而，在将化学镀Ni-P镀膜进行薄膜化时，由于受热过程，熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中，因此难以使化学镀Ni-P镀膜薄膜化。

本发明是针对上述情况而提出的，本发明的目的在于提供一种新的化学镀镀膜以及适合该化学镀镀膜的化学镀镀液，该化学镀镀膜能够防止熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中。

能够解决上述课题的本发明的化学镀Co-W镀膜具有以下的构成。

[1]一种化学镀Co-W镀膜，其中，所述化学镀Co-W镀膜中的W含量为35～58质量％，且所述化学镀Co-W镀膜的膜厚为0.05μm以上。

[2]根据[1]所述的化学镀Co-W镀膜，其中，所述化学镀Co-W镀膜为非晶质。

[3]根据[1]或[2]所述的化学镀Co-W镀膜，其中，所述化学镀Co-W镀膜还含有B。

[4]一种层叠镀膜，其为包含[1]～[3]中任意一项所述的化学镀Co-W镀膜的层叠镀膜，

且包含Ni电镀膜或化学镀Ni-P镀膜。

[5]根据[4]所述的层叠镀膜，其中，所述化学镀Ni-P镀膜中的P含量为10～13质量％。

[6]根据[4]或[5]所述的层叠镀膜，其中，所述Ni电镀膜或所述化学镀Ni-P镀膜的膜厚为0.5～5μm。

[7]一种镀覆基材，其与被镀覆物表面接触而形成有[1]～[3]中任意一项所述的化学镀Co-W镀膜。

[8]一种镀覆基材，其为在被镀覆物上形成有[4]～[6]中任意一项所述的层叠镀膜的镀覆基材，其中，

所述化学镀Co-W镀膜与所述被镀覆物表面接触而形成，

所述Ni电镀膜或化学镀Ni-P镀膜与所述化学镀Co-W镀膜表面接触而形成。