[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

接收布局，所述布局包括：

顶部金属层，包括多个顶部金属部件，

绝缘层，设置在所述顶部金属层上方，

再分布层，包括多个再分布部件，以及

钝化层，设置在所述再分布层上方；

在第一确定步骤中，确定所述顶部金属层中的所述多个顶部金属部件是否适合修改；

当在所述第一确定步骤中确定所述顶部金属层中的所述多个顶部金属部件适合修改时，修改所述布局，从而使得所述多个顶部金属部件中的一个的至少部分设置在所述多个再分布部件中的两个相邻再分布部件之间的间隔正下方，所述修改产生第一修改的布局；以及

当在所述第一确定步骤中确定所述顶部金属层中的所述多个顶部金属部件不适合修改时，在所述布局的所述顶部金属层中插入金属部件，从而使得所述金属部件的至少部分设置在所述多个再分布部件中的两个相邻再分布部件之间的所述间隔正下方，所述插入产生第二修改的布局。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第二确定步骤中，确定额外金属部件是否为所述第一修改的布局提供益处；以及

当所述第二确定步骤确定所述额外金属部件为所述第一修改的布局提供益处时，在所述顶部金属层中插入所述金属部件，从而使得所述金属部件的至少部分设置在所述多个再分布部件中的两个相邻再分布部件之间的间隔正下方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个顶部金属部件和所述多个再分布部件沿第一方向纵向延伸。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，所述多个再分布部件包括第一再分布部件和第二再分布部件，

其中，所述第一再分布部件的宽度大于所述第二再分布部件的宽度，

其中，所述金属部件相对于所述第二再分布部件更靠近所述第一再分布部件。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

根据所述第一修改的布局或所述第二修改的布局制造半导体结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述制造包括：

使用铜或铝形成所述多个顶部金属部件，

使用氮化硅形成所述绝缘层，

使用氮化钽、氮化钛、铜、铝、镍或钴形成所述多个再分布部件，以及

使用氮化硅形成所述钝化层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布局还包括位于所述钝化层上方的聚合物层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布局还包括嵌入在所述绝缘层中的无源器件。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

接收布局，所述布局包括：

顶部金属层，包括第一顶部金属部件和第二顶部金属部件，

绝缘层，设置在所述顶部金属层上方，以及

再分布层，包括设置在所述第一顶部金属部件上方并且电耦接至所述第一顶部金属部件的第一再分布部件以及设置在所述第二顶部金属部件上方并且电耦接至所述第二顶部金属部件的第二再分布部件；以及

在所述布局的所述顶部金属层中插入多个金属部件，从而使得所述多个金属部件的至少部分设置在所述第一再分布部件和所述第二再分布部件之间的间隔正下方，所述插入产生修改的布局。

10.一种半导体结构，包括：

多个晶体管；

互连结构，电耦接至所述多个晶体管；

金属部件，设置在所述互连结构上方并且与所述多个晶体管电隔离；

绝缘层，设置在所述金属部件上方；以及

第一再分布部件和第二再分布部件，设置在所述绝缘层上方，其中，所述第一再分布部件和所述第二再分布部件之间的间隔设置在所述金属部件的至少部分正上方。