[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的半导体结构包括多个晶体管、电耦接至多个晶体管的互连结构、设置在互连结构上方并且与多个晶体管电隔离的金属部件、设置在金属部件上方的绝缘层以及设置在绝缘层上方的第一再分布部件和第二再分布部件。第一再分布部件和第二再分布部件之间的间隔设置在金属部件的至少部分正上方。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件包括各个半导体部件、金属部件和介电部件。通常，介电部件正好放置在金属部件旁边，以提供绝缘和扩散阻挡。介电材料和金属具有大不相同的热膨胀系数(CTE)，该CTE失配可能导致应力足够高以将钝化层从金属部件的表面剥离。例如，介电钝化层可以设置在再分布层(RDL)中的再分布部件上方以使再分布部件绝缘。当工件从用于沉积钝化层的高温冷却下来时，金属再分布层在体积上可能比相邻的钝化层收缩得更多，从而导致剥离或裂缝。有时，裂缝可能向下扩展，导致嵌入在再分布部件下方的绝缘层中的无源器件进一步损坏。因此，虽然现有再分布层足以满足其预期目的，但是它们并非在所有方面都令人满意。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：接收布局，所述布局包括：顶部金属层，包括多个顶部金属部件，绝缘层，设置在所述顶部金属层上方，再分布层，包括多个再分布部件，以及钝化层，设置在所述再分布层上方；在第一确定步骤中，确定所述顶部金属层中的所述多个顶部金属部件是否适合修改；当在所述第一确定步骤中确定所述顶部金属层中的所述多个顶部金属部件适合修改时，修改所述布局，从而使得所述多个顶部金属部件中的一个的至少部分设置在所述多个再分布部件中的两个相邻再分布部件之间的间隔正下方，所述修改产生第一修改的布局；以及当在所述第一确定步骤中确定所述顶部金属层中的所述多个顶部金属部件不适合修改时，在所述布局的所述顶部金属层中插入金属部件，从而使得所述金属部件的至少部分设置在所述多个再分布部件中的两个相邻再分布部件之间的所述间隔正下方，所述插入产生第二修改的布局。

本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：接收布局，所述布局包括：顶部金属层，包括第一顶部金属部件和第二顶部金属部件，绝缘层，设置在所述顶部金属层上方，以及再分布层，包括设置在所述第一顶部金属部件上方并且电耦接至所述第一顶部金属部件的第一再分布部件以及设置在所述第二顶部金属部件上方并且电耦接至所述第二顶部金属部件的第二再分布部件；以及在所述布局的所述顶部金属层中插入多个金属部件，从而使得所述多个金属部件的至少部分设置在所述第一再分布部件和所述第二再分布部件之间的间隔正下方，所述插入产生修改的布局。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体结构，包括：多个晶体管；互连结构，电耦接至所述多个晶体管；金属部件，设置在所述互连结构上方并且与所述多个晶体管电隔离；绝缘层，设置在所述金属部件上方；以及第一再分布部件和第二再分布部件，设置在所述绝缘层上方，其中，所述第一再分布部件和所述第二再分布部件之间的间隔设置在所述金属部件的至少部分正上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。需要强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制，仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图15是根据本发明的实施例的具有顶部金属部件和再分布部件的不同配置的工件的局部截面图

图16是根据本发明的实施例的用于减少钝化层中裂缝的方法的流程图。

图17至图29是根据本发明的实施例的使用图16的方法形成的工件的局部截面图或顶视图。

具体实施方式