[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板，具有阱区；

栅极结构，形成在该半导体基板的该阱区的上方；

栅极间隔结构，包括分别位于该栅极结构的两个相对侧壁上的第一间隔部分和第二间隔部分；以及

源极区和漏极区，形成于该半导体基板中并与该栅极结构分隔开，其中该源极区与该栅极间隔结构的该第一间隔部分相邻，该漏极区与该间隔结构的第二间隔部分相邻，

其中，该第二间隔部分的底部宽度大于该第一间隔部分的底部宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二间隔部分的底面大于该第一间隔部分的底面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一间隔部分的底面宽度定义为该源极区与该栅极结构之间的第一横向距离，该第二间隔部分的底面宽度定义为该漏极区与该栅极结构之间的第二横向距离，其中该第二横向距离大于该第一横向距离。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极结构具有第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁，该第一间隔部分与该第二间隔部分别形成于该栅极结构的该第一间隔与该第二间隔上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第一间隔部分设置于该源极区与该栅极结构的该第一侧壁之间，该第二间隔部设置于该漏极区与该栅极结构的该第二侧壁之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极间隔结构由多个间隔材料层构成，该栅极结构的相对侧壁上的该栅极间隔结构的第一间隔部分和第二间隔部分各自具有不同数量的间隔材料层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，形成该第二间隔部分的间隔材料层的数量大于形成该第一间隔部分的间隔材料层的数量。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极间隔结构的该第二间隔部分至少包括剩余的初始间隔部分，设置于两个图案化间隔部分之间。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该剩余的初始间隔部分的上表面通过该两个图案化间隔部分的上表面暴露。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该剩余的初始间隔部分的顶表面高于该两个图案化间隔部分的顶表面。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极间隔结构的该第二间隔部分至少包括剩余的初始间隔部分和包覆该剩余的初始间隔部分的两个图案化间隔部分。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极间隔结构的该第二间隔部分至少包括初始氧化物间隔部分，设置于两个图案化氮化物间隔部分之间。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

轻掺杂区，形成在该半导体基板中并且在该栅极间隔结构的该第一间隔部分和该第二间隔部分下方，

其中，该轻掺杂区具有沿该半导体基板的上表面延伸的不同宽度。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，与该源极区和该漏极区接触的该轻掺杂区的外边缘分别与该栅极间隔结构的该第一间隔部分和该第二间隔部分的外边缘对齐。