[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

说明书

本发明公开一种半导体装置，包括：半导体基板，具有阱区；栅极结构，形成于该半导体基板的阱区上方，其中该栅极结构具有第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁；栅极间隔结构，包括分别覆盖该栅极结构的该第一侧壁和该第二侧壁的两个非对称部分；以及源极区与漏极区，形成于该半导体基板中，其中该源极区与该漏极区分别与该栅极间隔结构的两个非对称部分的外边缘对齐，其中，该漏极区与该栅极结构之间的横向距离大于该源极区与该栅极结构之间的横向距离。本发明的上述方案使得半导体装置拥有较大的耐压能力，提高了半导体装置的高压能力，提升了半导体装置的电性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置及形成半导体装置的方法。

背景技术

近年来，随着对高压装置(或器件)的需求增加，对应用于高压装置(high-voltagedevice)中的高压金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管的研究越来越受到关注。在高压下使用的高压(high-voltage，HV)MOS装置，其可以是但不限于：高于提供给I/O电路的电压的电压。MOS装置如HVMOS装置可用作开关，广泛应用于音频输出驱动器、CPU电源、电源管理系统、AC/DC转换器、LCD或等离子电视驱动器、汽车电子元件、PC外围设备、小型直流电机控制器和其他消费电子设备。

尽管诸如MOS装置的现有半导体装置及其形成方法已经足以满足它们的预期目的，但是它们在所有方面都不是完全令人满意的。例如，当半导体装置的尺寸缩小时，半导体装置的加工和制造复杂度增加。随着半导体装置尺寸缩小，电极之间的横向距离减小，这可能对半导体装置的电性能产生相当大的影响。此外，随着半导体制造的进步，高压MOS装置的击穿电压需要进一步提高以满足装置性能要求，因为高压装置的半导体制造需求不断。因此，半导体集成电路和技术中的半导体装置还存在一些需要克服的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法，以解决上述问题。

根据本发明的第一方面，公开一种半导体装置，包括：

半导体基板，具有阱区；

栅极结构，形成于该半导体基板的阱区上方，其中该栅极结构具有第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁；

栅极间隔结构，包括分别覆盖该栅极结构的该第一侧壁和该第二侧壁的两个非对称部分；以及

源极区与漏极区，形成于该半导体基板中，其中该源极区与该漏极区分别与该栅极间隔结构的两个非对称部分的外边缘对齐，

其中，该漏极区与该栅极结构之间的横向距离大于该源极区与该栅极结构之间的横向距离。

根据本发明的第二方面，公开一种半导体装置的形成方法，包括：

提供半导体基板，该半导体基板具有阱区及与该阱区相邻的隔离结构；

在该半导体基板的该阱区上方形成栅极结构，其中该栅极结构具有第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁。

形成栅极间隔结构，该栅极间隔结构包括两个非对称部分，该两个非对称部分分别覆盖在该栅极结构的该第一侧壁和该第二侧壁上；以及

在该半导体基板中形成源极区和漏极区，其中该源极区和该漏极区分别与该栅极间隔结构的两个非对称部分的外边缘对齐，

其中，该漏极区与该栅极结构之间的横向距离大于该源极区与该栅极结构之间的横向距离。