[发明专利]一种有源像素传感器以及加工方法在审
申请号: | 202210557404.5 | 申请日: | 2022-05-20 |
公开(公告)号: | CN115000103A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 林晓东;闻棕择 | 申请(专利权)人: | 中科微机电技术(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 柳岩 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 像素 传感器 以及 加工 方法 | ||
1.一种有源像素传感器,其特征在于,包括:
像素器件层,所述像素器件层具有多个像素区;
准直框架,所述准直框架具有支撑柱和准直部,所述支撑柱离散地分布有多个,所述准直框架通过所述支撑柱设置于所述像素器件层上;
所述准直部具有边界墙和内墙,所述边界墙围合形成多个准直通道,每个所述准直通道与每个所述像素区的位置一一对应,所述内墙设置在所述边界墙所围成的所述准直通道内,所述准直通道的径向尺寸与所述像素区的尺寸相匹配;
所述准直部被配置为引导电子落在对应的像素区。
2.根据权利要求1所述的有源像素传感器,其特征在于,所述像素器件层包括基底框架,所述基底框架设置于所述像素区上,所述基底框架具有基底墙,所述基底墙围合形成多个基底通道,每个所述基底通道与每个所述像素区的位置一一对应。
3.根据权利要求2所述的有源像素传感器,其特征在于,所述支撑柱的一端与所述基底框架固定连接,所述支撑柱的另一端与所述准直部固定连接,且所述支撑柱另一端的端面与所述准直部远离所述基底框架的端面平齐。
4.根据权利要求1所述的有源像素传感器,其特征在于,所述内墙包括第一内墙和第二内墙,所述第一内墙与所述第二内墙间隔设置,所述第一内墙相对于所述第二内墙更靠近所述边界墙。
5.根据权利要求4所述的有源像素传感器,其特征在于,所述第一内墙与所述边界墙之间的间距小于所述第一内墙与所述第二内墙之间的间距。
6.根据权利要求4所述的有源像素传感器,其特征在于,所述第一内墙和所述第二内墙绕所述准直通道的中心呈环型分布,所述第一内墙环绕在所述第二内墙的周围;
所述第二内墙的径向尺寸大于所述第一内墙与所述第二内墙的间距;
所述第一内墙与所述第二内墙的间隔距离大于所述第一内墙与所述边界墙之间的间距。
7.根据权利要求4所述的有源像素传感器,其特征在于,所述准直部还具有连接墙,所述连接墙被配置为将所述内墙连接固定在所述边界墙上。
8.根据权利要求7所述的有源像素传感器,其特征在于,在所述准直通道中,所述连接墙与所述内墙和/或所述边界墙共同围成多个子通道。
9.根据权利要求7所述的有源像素传感器,其特征在于,所述连接墙与所述边界墙和所述第一内墙围合形成多个第一子通道;
所述连接墙与所述第一内墙和所述第二内墙围合形成多个第二子通道;
所述第二子通道的径向尺寸大于所述第一子通道的径向尺寸。
10.根据权利要求9所述的有源像素传感器,其特征在于,所述第二内墙自身呈环形分布,围绕形成第三子通道,所述第三子通道的径向尺寸大于所述第二子通道的径向尺寸。
11.根据权利要求1所述的有源像素传感器,其特征在于,所述准直框架的高度与所述像素区的径向尺寸的比例范围为1.5至3.5。
12.根据权利要求1所述的有源像素传感器,其特征在于,所述准直框架的高度与所述像素区的径向尺寸的比例为2。
13.根据权利要求1所述的有源像素传感器,其特征在于,所述基底框架的高度与所述像素区的径向尺寸的比例范围为0.2至1.0。
14.根据权利要求1所述的有源像素传感器,其特征在于,所述基底框架的高度与所述像素区的径向尺寸的比例为0.5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的