[发明专利]一种有源像素传感器以及加工方法在审
申请号: | 202210557404.5 | 申请日: | 2022-05-20 |
公开(公告)号: | CN115000103A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 林晓东;闻棕择 | 申请(专利权)人: | 中科微机电技术(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 柳岩 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 像素 传感器 以及 加工 方法 | ||
本公开实施例公开了一种有源像素传感器以及加工方法。该有源像素传感器包括:像素器件层,所述像素器件层具有多个像素区;准直框架,所述准直框架具有支撑柱和准直部,所述支撑柱离散地分布有多个,所述准直框架通过所述支撑柱设置于所述像素器件层上;所述准直部具有边界墙和内墙,所述边界墙围合形成多个准直通道,每个所述准直通道与每个所述像素区的位置一一对应,所述内墙设置在所述边界墙所围成的所述准直通道内,所述准直通道的径向尺寸与所述像素区的尺寸相匹配;所述准直部被配置为引导电子落在对应的像素区。
技术领域
本发明涉及光学装置领域,更具体地,涉及一种有源像素传感器以及加工方法。
背景技术
电子轰击型有源像素传感器是一种高性能的微光成像器件,其采用光-光电子-电子倍增的模式。将有源像素传感器基片进行减薄,光阴极射出光电子在加速电场的作用下轰击基片背面时,入射光电子能量散逸产生电子-空穴对,获得电子轰击半导体增益。
在光阴极的发射电子具有横向初速度,并不是竖直瞄准预定像素区域发射,因此有可能轰击其他非预定像素位置,造成串扰;此外,发射电子经过电场加速成为高能电子,用于撞击例如图像传感器的阳极,产生背散电子或二次电子,这部分电子有可能跳入临近的非预定像素位置,造成对于其他非预定像素位置阳极二次轰击,进而形成串扰问题。
因此,需要提供一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种有源像素传感器的新技术方案。
根据本发明的第一方面,提供了一种有源像素传感器。该有源像素传感器包括:像素器件层,所述像素器件层具有多个像素区;准直框架,所述准直框架具有支撑柱和准直部,所述支撑柱离散地分布有多个,所述准直框架通过所述支撑柱设置于所述像素器件层上;所述准直部具有边界墙和内墙,所述边界墙围合形成多个准直通道,每个所述准直通道与每个所述像素区的位置一一对应,所述内墙设置在所述边界墙所围成的所述准直通道内,所述准直通道的径向尺寸与所述像素区的尺寸相匹配;所述准直部被配置为引导电子落在对应的像素区。
可选地,所述像素器件层包括基底框架,所述基底框架设置于所述像素区上,所述基底框架具有基底墙,所述基底墙围合形成多个基底通道,每个所述基底通道与每个所述像素区的位置一一对应。
可选地,所述支撑柱的一端与所述基底框架固定连接,所述支撑柱的另一端与所述准直部固定连接,且所述支撑柱另一端的端面与所述准直部远离所述基底框架的端面平齐。
可选地,所述内墙包括第一内墙和第二内墙,所述第一内墙与所述第二内墙间隔设置,所述第一内墙相对于所述第二内墙更靠近所述边界墙。
可选地,所述第一内墙与所述边界墙之间的间距小于所述第一内墙与所述第二内墙之间的间距。
可选地,所述第一内墙和所述第二内墙绕所述准直通道的中心呈环型分布,所述第一内墙环绕在所述第二内墙的周围;
所述第二内墙的径向尺寸大于所述第一内墙与所述第二内墙的间距;
所述第一内墙与所述第二内墙的间隔距离大于所述第一内墙与所述边界墙之间的间距。
可选地,所述准直部还具有连接墙,所述连接墙被配置为将所述内墙连接固定在所述边界墙上。
可选地,在所述准直通道中,所述连接墙与所述内墙和/或所述边界墙共同围成多个子通道。
可选地,所述连接墙与所述边界墙和所述第一内墙围合形成多个第一子通道;
所述连接墙与所述第一内墙和所述第二内墙围合形成多个第二子通道;
所述第二子通道的径向尺寸大于所述第一子通道的径向尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的