[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍结构与第二鳍结构以及形成第一壁鳍结构与第二壁鳍结构，从而使得所述第一鳍结构和所述第二鳍结构设置在所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构之间，并且所述第一鳍结构和所述第二鳍结构以及所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构的下部嵌入隔离绝缘层中，并且所述第一鳍结构和所述第二鳍结构以及所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构的上部从所述隔离绝缘层暴露；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构以及所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构的侧壁上形成侧壁间隔件层；

使所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的源极/漏极区凹进；以及

在所述凹进的第一鳍结构和第二鳍结构上方形成外延源极/漏极结构，

其中，所述第一鳍结构和第二鳍结构的宽度W1小于所述侧壁间隔件层的厚度W2。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，W2在1.1×W1至4.0×W1的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述侧壁间隔件层包括第一介电层和形成在所述第一介电层上方并且由与所述第一介电层不同的材料制成的第二介电层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一介电层由SiOCN制成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一介电层的碳浓度在6原子％至18原子％的范围内，并且所述第一介电层的氧浓度在20原子％至45原子％的范围内。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二介电层由SiCN制成。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二介电层包括第一SiCN层和形成在所述第一SiCN层上方的第二SiCN层，其中，所述第二SiCN层具有比所述第一SiCN层更高的氮浓度。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍结构和第二鳍结构以及形成第一壁鳍结构和第二壁鳍结构，从而使得所述第一鳍结构和所述第二鳍结构设置在所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构之间，并且所述第一鳍结构和所述第二鳍结构以及所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构的下部嵌入隔离绝缘层中，并且所述第一鳍结构和所述第二鳍结构以及所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构的上部从所述隔离绝缘层暴露；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构以及所述第一壁鳍结构和所述第二壁鳍结构的侧壁上形成侧壁间隔件层，其中，所述侧壁间隔件层包含碳；

使所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的源极/漏极区凹进；

对所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的所述凹进的源极/漏极区执行预清洁操作以去除包括碳的残留物；

在所述预清洁操作之后，对所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的所述凹进的源极/漏极区执行预蚀刻操作，以蚀刻所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的所述凹进的源极/漏极区的表面；以及

在所述凹进的第一鳍结构和第二鳍结构上方形成外延源极/漏极结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述预清洁操作包括等离子体处理。

10.一种半导体器件，包括：

隔离绝缘层，设置在衬底上方；

第一鳍结构和第二鳍结构，设置在所述衬底上方；

源极/漏极外延层，设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的源极/漏极区上方；以及

侧壁间隔件层，设置在所述源极/漏极外延层的底部上，其中：

所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的宽度W1小于所述侧壁间隔件层的厚度W2。