[发明专利]一种制备T形波导的方法在审
| 申请号： | 202210559049.5 | 申请日： | 2022-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN115084815A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郑建辉 | 申请（专利权）人： | 上海图灵智算量子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/00 | 分类号： | H01P3/00;H01P11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 波导 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备T形波导的方法，其特征在于，包括：
在基底上形成待沉积波导的T形区域；以及
在所述T形区域上沉积波导。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
形成所述T形区域包括使用刻蚀停止层形成容纳所述T形波导的T形凹槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述刻蚀停止层为氮化物硬掩膜。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述T形波导为一体成型结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
其中，所述T形波导为氮化硅材料。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述刻蚀停止层上光刻涂胶与曝光显影刻蚀区域。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
在使用所述刻蚀停止层前在其下方形成第一缓冲层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
在刻蚀后的所述刻蚀停止层上沉积第二缓冲层。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于：
所述第一缓冲层与所述第二缓冲层为二氧化硅材料。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：
所述在刻蚀后的所述刻蚀停止层上沉积第二缓冲层中的刻蚀方法包括ICP刻蚀。
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