[发明专利]一种制备T形波导的方法

说明书

本发明提供一种制备T形波导的方法，属于半导体技术领域。该方法首先在基底上形成待沉积波导的T形区域；然后在T形区域上沉积波导。所以，该方法工艺简单、无需刻蚀波导，制备得到的T形波导具有较高的归一化截至波长、单模带宽、低的特性阻抗、衰减特性，可以降低芯片的传输损耗。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体提供一种制备T形波导的方法。

背景技术

在传统制备波导的过程中需要刻蚀波导层，由于波导材料的特殊特性，直接刻蚀波导层会刻蚀不均匀，并且传统的波导大多为脊形波导，在带宽和波长方案尚待提升，同时现有的波导对芯片的传输损耗较大。

本背景技术中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此可以包含不构成现有技术的信息。

发明内容

本发明为了克服在刻蚀波导的过程中存在刻蚀不均匀、制备的波导在芯片上传输损耗大的问题，因此本发明利用刻蚀停止层形成一种T形波导。

本发明提供了一种制备T形波导的方法，其特征在于，包括：

在基底上形成待沉积波导的T形区域；以及

在所述T形区域上沉积波导。

本发明提供的方法中，其特征在于：

形成所述T形区域包括使用刻蚀停止层形成容纳所述T形波导的T形凹槽。

本发明提供的方法中，其特征在于：

所述刻蚀停止层为氮化物硬掩膜。

本发明提供的方法中，其特征在于：

所述T形波导为一体成型结构。

本发明提供的方法中，其特征在于：

其中，所述T形波导为氮化硅材料。

本发明提供的方法中，其特征在于，还包括：

在所述刻蚀停止层上光刻涂胶与曝光显影刻蚀区域。

本发明提供的方法中，其特征在于，还包括：

在使用所述刻蚀停止层前在其下方形成第一缓冲层。

本发明提供的方法中，其特征在于，还包括：

在刻蚀后的所述刻蚀停止层上沉积第二缓冲层。

本发明提供的方法中，其特征在于：

所述第一缓冲层与所述第二缓冲层为二氧化硅材料。

本发明提供的方法中，其特征在于：

所述在刻蚀后的所述刻蚀停止层上沉积第二缓冲层中的刻蚀方法包括ICP刻蚀。

附图说明

图1是本发明实施例制备T形波导方法的总流程图；

图2是本发明实施例步骤S1对应的结构剖面示意图；

图3是本发明实施例步骤S2中涂胶对应的结构剖面示意图；

图4是本发明实施例步骤S2中刻蚀停止层对应的结构剖面示意图；

图5是本发明实施例步骤S3对应的结构剖面示意图；

图6是本发明实施例步骤S4对应的结构剖面示意图；

图7是本发明实施例步骤S5对应的结构剖面示意图；

图8是本发明实施例步骤S6对应的结构剖面示意图；

图9是本发明实施例步骤S7对应的结构剖面示意图；