[发明专利]波导及包含其的光芯片

说明书

本申请实施例涉及波导及包含其的光芯片，根据本申请的一些实施例，一种波导的上表面包括：凹陷表面，其相对于所述上表面向下凹陷，所述凹陷表面包括：倾斜表面；以及底面，其中所述倾斜表面由所述上表面向所述底面缓慢倾斜延伸而形成，且所述底面用于安放光器件。本申请另一实施例提供了一种光芯片，其包括所述的波导。本申请实施例提供的波导及包含其的光芯片可有效解决传统技术中遇到的问题。

技术领域

本申请实施例大体上涉及半导体技术领域，更具体地，涉及波导及包含其的光芯片。

背景技术

光芯片的小型化低成本等要求光源、光路和探测器等组件的集成，通过减小耦合损耗以减小芯片能耗、提高芯片性能等也要求各种器件的低损耗集成，而各种器件对相应的波导的具体特性要求不同，比如各自得到最优性能所需的波导厚度可能不同。

因此，本申请提出一种波导及包含其的光芯片。

发明内容

本申请实施例的目的之一在于提供一种波导及包含其的光芯片，与传统的方法相比，其通过在同一芯片上实现不同厚度光波导的低损耗连接，提高系统器件的整体性能。

本申请的实施例提供一种波导，其表面包括：上表面；以及凹陷表面，其相对于上表面向下凹陷，凹陷表面包括：倾斜表面；以及底面，其中倾斜表面由上表面向底面缓慢倾斜延伸而形成，且底面用于耦接光器件。

根据本申请的一些实施例，其中凹陷表面通过对波导的表面的一部分进行刻蚀而形成。

根据本申请的一些实施例，其中光器件为光探测器PD、光栅耦合器GC、量子光源、光分束偏振旋转器PSR、边耦合器EC中的至少一者。

根据本申请的一些实施例，其中光器件为超导纳米线单光子探测器SNSPD。

根据本申请的一些实施例，其中波导为铌酸锂波导、氮化硅波导和硅波导中的至少一者。

根据本申请的一些实施例，其中上表面的至少一部分用于耦接热光调制器和电光调制器中的至少一者。

根据本申请的一些实施例，其中波导的表面包括多个凹陷表面，且多个凹陷表面中的任一者的底面与波导的下表面之间的距离与多个凹陷表面中的另一者的底面与波导的下表面之间的距离相同或不同。

根据本申请的一些实施例，其还包括位于表面上方的包层。

根据本申请的一些实施例，其中包层位于所述光器件上方。

根据本申请的一些实施例，其中包层包覆所述光器件。

根据本申请的一些实施例，其中包层的折射率大于位于波导下方的材料的折射率。

根据本申请的一些实施例，其中包层的至少一端的厚度缓减。

本申请的实施例还提供一种光芯片，其包括前述的波导。

与现有技术相比，本申请实施例提供的波导及包含其的光芯片，可以保证在波导厚度要求不同的各区域器件实现最优性能的同时保证各区域间低损耗的光传输，从而明显提高系统器件的整体性能。

附图说明

在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请的实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可以根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。

图1为根据本申请一些实施例的波导及其形成过程的示意图；

图2为根据本申请一些实施例的波导10集成光器件后的横截面与平面示意图；

图3和图4为根据本申请另一些实施例的另一些波导10集成光器件后的横截面示意图；