[发明专利]半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，包括：

在一基底上交替层叠牺牲层和绝缘层而形成堆叠层，且所述堆叠层包括位于远离所述基底一侧的顶部选择栅叠层；

于所述堆叠层中形成台阶区，所述台阶区包括多个台阶，各所述台阶具有台阶顶面层与台阶纵面，所述台阶区设有第一凹槽，所述第一凹槽至少部分穿过所述台阶顶面层；

于各所述台阶顶面层中靠近所述台阶纵面处形成第二凹槽；

于所述顶部选择栅叠层中形成顶部选择栅切槽，所述顶部选择栅切槽沿平行于所述基底的第一方向延伸；

其中，所述顶部选择栅切槽与所述第二凹槽在所述台阶顶面层上的投影至少部分交叠。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤还包括，所述第二凹槽沿所述第一方向延伸，所述顶部选择栅切槽与所述第一凹槽在所述台阶顶面层上的投影具有重叠部分，所述重叠部分位于所述第二凹槽在所述台阶顶面层上的投影内。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤还包括，形成多个沿所述第一方向间隔设置的子第二凹槽，所述顶部选择栅切槽与所述第一凹槽在所述台阶顶面层上的投影具有重叠部分，所述重叠部分位于所述第二凹槽在所述台阶顶面层上的投影内。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤还包括，所述第二凹槽沿平行于所述台阶纵面的第二方向延伸，所述顶部选择栅切槽与所述第一凹槽在所述台阶顶面层上的投影具有重叠部分，所述重叠部分位于所述第二凹槽在所述台阶顶面层上的投影内。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，还包括：

在所述堆叠层上形成保护层，且所述保护层部分位于靠近所述堆叠层的外围区；

去除位于所述外围区的所述保护层；

其中，位于所述外围区的所述保护层与所述台阶顶面层同时形成，余留在所述台阶区的所述保护层形成所述台阶顶面层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除位于所述外围区的所述保护层的步骤与形成所述第二凹槽的步骤通过同一掩膜版形成。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤还包括，单个所述第二凹槽在垂直于所述基底的第三方向上的深度，大于或等于单个所述第一凹槽在所述第三方向的深度。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤还包括，所述第二凹槽贯穿所述台阶顶面层和所述牺牲层，并延伸到各对应的所述绝缘层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述台阶顶面层的步骤还包括，所述牺牲层和所述台阶顶面层的材料相同。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，包括：

半导体层；

位于所述半导体层上包括交替层叠设置的栅极层和绝缘层的堆叠结构，所述堆叠结构包括位于远离所述半导体层一侧的顶部选择栅结构；

位于所述堆叠结构中设置的多个台阶，各所述台阶具有台阶顶面层与台阶纵面，所述台阶区设有第一凹槽结构，所述第一凹槽结构至少部分穿过所述台阶顶面层；

位于各所述台阶顶面层中靠近所述台阶纵面处设置的第二凹槽结构；

位于所述顶部选择栅结构中设置的顶部选择栅切槽结构，所述顶部选择栅切槽结构沿平行于所述半导体层的第一方向延伸；

其中，所述顶部选择栅切槽结构与所述第二凹槽结构在所述台阶顶面层上的投影至少部分交叠。