[发明专利]一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统在审
申请号: | 202210562521.0 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN114944181A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C7/12;G11C8/14 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 相变 存储器 操作方法 系统 | ||
1.一种相变存储器的操作方法,其特征在于,所述相变存储器包括存储阵列,所述存储阵列包括多个存储阵列块;每一个存储阵列块包括多个连接在字线和位线之间的相变存储器单元;所述操作方法包括:
向与选中的相变存储器单元耦接的选定字线施加第一电压,向与所述选中的相变存储器单元耦接的选定位线施加第二电压;
基于所述第一电压和所述第二电压使得所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通的情况下,基于复位电流脉冲对所述选中的相变存储器单元进行复位操作;
其中,所述第一电压包括最低电压值、最高电压值以及所述最高电压值与所述最低电压值之间的中间电压值;在所述最低电压值与所述第二电压作用下,能够使阈值电压处于第一分布的所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通;在所述最高电压值与所述第二电压作用下,能够使阈值电压处于第二分布的所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通;所述中间电压值用于降低所述选定字线施加的所述第一电压从所述最低电压值上升到所述最高电压值时流过所述选中的相变存储器单元的电流;所述第一分布与所述第二分布构成所述相变存储器包含的相变存储器单元的阈值电压分布。
2.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,所述中间电压值包括一个或多个。
3.根据权利要求2所述的操作方法,其特征在于,在所述中间电压值包括多个时,多个中间电压值按照等步长增加。
4.根据权利要求3所述的操作方法,其特征在于,所述中间电压值的个数不大于预设阈值。
5.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,所述第一电压为正电压;所述第二电压为负电压。
6.根据权利要求5所述的操作方法,其特征在于,所述第一电压在所述第二电压之前施加。
7.根据权利要求6所述的操作方法,其特征在于,所述操作方法还包括:
在所述第一电压未达到所述最低电压值时,保持所述选定位线上的电压为第一低电压,直到所述第一电压达到所述最低电压值,开始向所述选定位线施加所述第二电压。
8.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,所述复位电流脉冲由耦接在所述选中位线上的电流镜控制。
9.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,所述操作方法还包括:
在所述复位电流脉冲持续时间达到设定时间,向所述选定字线施和所述选定位线施加第二低电压,结束对所述选中的相变存储器的复位操作。
10.一种相变存储器,其特征在于,包括存储阵列,所述存储阵列包括多个存储阵列块;每一个存储阵列块包括多个连接在字线和位线之间的相变存储器单元;
以及与所述存储阵列耦接并被配置为控制所述存储阵列的外围电路;其中,
所述外围电路,被配置为:向与选中的相变存储器单元耦接的选定字线施加第一电压,向与所述选中的相变存储器单元耦接的选定位线施加第二电压;
基于所述第一电压和所述第二电压使得所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通的情况下,基于复位电流脉冲对所述选中的相变存储器单元进行复位操作;
其中,所述第一电压包括最低电压值、最高电压值以及所述最高电压值与所述最低电压值之间的中间电压值;在所述最低电压值与所述第二电压作用下,能够使阈值电压处于第一分布的所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通;在所述最高电压值与所述第二电压作用下,能够使阈值电压处于第二分布的所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通;所述中间电压值用于降低所述选定字线施加的所述第一电压从所述最低电压值上升到所述最高电压值时流过所述选中的相变存储器单元的电流;所述第一分布与所述第二分布构成所述相变存储器包含的相变存储器单元的阈值电压分布。
11.根据权利要求10所述的相变存储器,其特征在于,所述外围电路包括耦接在所述选定位线上的电流镜,用于控制所述复位电流脉冲。
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