[发明专利]一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统

说明书

本发明实施例提供一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统。方法包括：向与所述相变存储器中选中的相变存储器单元耦接的选定字线施加第一电压，向与选中的相变存储器单元耦接的选定位线施加第二电压；基于复位电流脉冲对选中的相变存储器单元进行复位操作；第一电压包括最低电压值、最高电压值以及中间电压值；最低电压值能够使阈值电压处于第一分布的选中的相变存储器单元的选择器导通；最高电压值能使阈值电压处于第二分布的选中的相变存储器单元的选择器导通；所述中间电压值用于降低选定字线施加的第一电压从最低电压值上升到最高电压值时流过选中的相变存储器单元的电流；第一分布与第二分布构成相变存储器单元的阈值电压分布。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统。

背景技术

相变存储器是用于使用在特定相变材料的晶态和非晶态之间的导电率或阻抗差别特征，以存储信息的存储器元件。在设置相变存储器的相变材料在晶态与非晶态之间转换的操作时，可以使用不同脉冲来控制相变材料的加热。目前，所使用的操作方式，产生比较大的浪涌电流，对相变存储器的寿命产生比较严重的影响。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统。通过将施加给与相变存储器单元耦接的字线的电压设置呈阶梯上升形式，以此降低在电压短时间上升至最大电压值过程中因电压突变引入到相变存储器单元的涌流峰值，以减轻对相变存储器单元的危害，从而提高相变存储器单元的寿命。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种相变存储器的操作方法，所述相变存储器包括存储阵列，所述存储阵列包括多个存储阵列块；每一个存储阵列块包括多个连接在字线和位线之间的相变存储器单元；所述操作方法包括：

向与选中的相变存储器单元耦接的选定字线施加第一电压，向与所述选中的相变存储器单元耦接的选定位线施加第二电压；

基于所述第一电压和所述第二电压使得所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通的情况下，基于复位电流脉冲对所述选中的相变存储器单元进行复位操作；

其中，所述第一电压包括最低电压值、最高电压值以及所述最高电压值与所述最低电压值之间的中间电压值；在所述最低电压值与所述第二电压作用下，能够使阈值电压处于第一分布的所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通；在所述最高电压值与所述第二电压作用下，能够使阈值电压处于第二分布的所述选中的相变存储器单元包含的选择器导通；所述中间电压值用于降低所述选定字线施加的所述第一电压从所述最低电压值上升到所述最高电压值时流过所述选中的相变存储器单元的电流；所述第一分布与所述第二分布构成所述相变存储器包含的相变存储器单元的阈值电压分布。

在上述方案中，所述中间电压值包括一个或多个。

在上述方案中，在所述中间电压值包括多个时，多个中间电压值按照等步长增加。

在上述方案中，所述中间电压值的个数不大于预设阈值。

在上述方案中，所述第一电压为正电压；所述第二电压为负电压。

在上述方案中，所述第一电压在所述第二电压之前施加。

在上述方案中，所述操作方法还包括：

在所述第一电压未达到所述最低电压值时，保持所述选定位线上的电压为第一低电压，直到所述第一电压达到所述最低电压值，开始向所述选定位线施加所述第二电压。

在上述方案中，所述复位电流脉冲由耦接在所述选中位线上的电流镜控制。

在上述方案中，所述操作方法还包括：