[发明专利]一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统有效
申请号: | 202210564952.0 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN114860624B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 陈辉阳;熊俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯存科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06N3/0464;G06N3/08 |
代理公司: | 深圳市能闻知识产权代理事务所(普通合伙) 44717 | 代理人: | 熊旺 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 nandflash 芯片 数据 擦写 方法 系统 | ||
1.一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述方法包括:
获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据,并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络,所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数;
若所有损失系数小于第一预设值,根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写;
若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值,则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
2.根据权利要求1所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述第一神经网络的训练过程,包括:
将Nandflash芯片的多个分区的温湿度,应用场景以及使用次数作为第一神经网络的训练输入数据集;
将Nandflash芯片的多个分区的剩余擦写次数作为第一神经网络的训练输出数据集;
通过所述输入数据集和所述输出数据集训练得到所述第一神经网络。
3.根据权利要求2所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述若当Nandflash芯片的某一分区损失系数大于第二预设值,则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写,包括:
若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数第二预设值,将Nandflash芯片的各个分区的损失系数分为3个等级;
按照损失系数的等级优先选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
4.根据权利要求3所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述按照损失系数的等级优先选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写,包括:
将Nandflash芯片的各个分区的损失系数输入至第二神经网络,第二神经输出Nandflash芯片的各个分区擦写时间;
基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
5.权利要求4所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写,包括:
所述目标函数为:J=w1S+w2T;其中w1,w2为权重系数,S为损失系数,T为擦写时间;
选择所述目标函数最小的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
6.根据权利要求4所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述第二神经网络训练过程,包括:
将Nandflash芯片的多个分区的损失系数作为所述第二神经网络的训练输入数据集;
将Nandflash芯片的多个分区的擦写时间作为第二神经网络的训练输出数据集;
通过所述输入数据集和所述输出数据集训练得到所述第二神经网络。
7.权利要求1所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法,其特征在于,所述第一预设值为Nandflash芯片的多个分区的擦写总擦写次数的30%;所述第二预设值为Nandflash芯片的多个分区的擦写总擦写次数的40%。
8.一种基于Nandflash芯片的数据擦写系统,其特征在于,所述系统包括:
计算模块,用于获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据,并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络,所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数;
初始管理模块,用于若所有损失系数小于第一预设值,根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写;
均衡管理模块,用于若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值,则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
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