[发明专利]一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统

说明书

本发明公开了一种基于Nandf l ash芯片的数据擦写方法及系统，所述方法包括：获取Nandf l ash芯片的多个分区的状态数据，并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络，所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数；若所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandf l ash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写；若当Nandf l ash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandf l ash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。本申请提供了一种基于Nandf l ash芯片的数据擦写方法及系统解决上述读写效率低下，无法平衡产品寿命和读写时间之间矛盾的技术问题。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，具体涉及一种基于一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统。

背景技术

以往嵌入式系统主要应用在控制领域，在数据存储方面的要求并不是很高。随着信息技术的不断发展，嵌入式技术在诸多领域得到广泛应用，嵌入式系统中要存储的数据信息量不断增长，对数据存储和管理的需求越来越高，嵌入式设备在体积、功耗、防震等方面的要求比较苛刻。eFlash(在嵌入式设备中作为存储介质的Flash的统称)存储器具有体积小、存储容量大、能耗低、性价比高等特性，相比于传统存储介质，更适合在嵌入式系统中储存数据。因此，eFlash存储器已经成为嵌入式系统中主要使用的存储介质之一。eFlash是基于先擦除后写入的方式，每个擦写单元的擦除次数有限，擦除次数过多而被磨损的块，会影响整个eFlash的生命周期。现有的解决方案为基于空闲擦写单元的轮询算法，划分擦写单元状态位图表和DATA扇区，实现擦写单元的映射关系。每次进行数据写入时通过空闲擦写单元的搜索算法对DATA扇区进行有效调度，随后通过映射关系对目标擦写单元进行写入，以此提高擦写次数。此种方法在每次擦写之前都需要通过轮询位图表来寻找空闲的擦写单元，寻找均衡交换目标对象的效率相对较低。另外，在产品寿命到了一定程度时，并没有考虑寿命对产品读写时间的影响，并没有平衡两者的矛盾。

发明内容

本申请提供了一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统解决上述读写效率低下，无法平衡产品寿命和读写时间之间矛盾的技术问题。

第一方面，本申请提供了一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法，所述方法包括：所述方法包括：

获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据，并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络，所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数；

若所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写；

若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。

优选地，所述第一神经网络的训练过程，包括：

将Nandflash芯片的多个分区的温湿度，应用场景以及使用次数作为第一神经网络的训练输入数据集；

将Nandflash芯片的多个分区的剩余擦写次数作为作为第一神经网络的训练输出数据集；

通过所述输入数据集和所述输出数据集训练得到所述第一神经网络。

优选地，所述若当Nandflash芯片的某一分区损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：

若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数第二预设值，将Nandflash芯片的各个分区的损失系数分为3个等级；

按照损失系数的等级优选选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。