[发明专利]三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统

权利要求书

1.一种三维存储器的读取方法，其特征在于，所述方法包括：

对目标位线进行充电，所述目标位线为第一存储器单元组中的存储器单元耦合的位线，所述第一存储器单元组中的存储器单元为待读取存储器单元层中未确定读取结果的存储器单元；

向目标字线逐个施加多个读取电压，在施加所述多个读取电压中的指定读取电压后，根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，并停止对所述第二存储器单元组中各存储器单元耦合的位线进行充电，其中，所述目标字线为与所述待读取存储器单元层耦合的字线，所述第二存储器单元组中各存储器单元为所述第一存储器单元组中，能够根据在读取电压下的导通状态确定出读取结果的存储器单元；

如果确定所述待读取存储器单元层仍存在未确定读取结果的存储器单元，则转至执行所述对目标位线进行充电。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，包括：

获取所述未确定读取结果的存储器单元在所述已施加的读取电压下的导通状态；

根据所述已施加的读取电压和所述导通状态，确定所述第二存储器单元组中各存储器单元对应的参考读取电压，所述参考读取电压为使所述各存储器单元导通的最小读取电压或未使所述各存储器单元导通的最大读取电压；

根据所述参考读取电压，得到所述参考读取电压对应的读取数据，将所述读取数据作为所述第二存储器单元组对应的读取结果。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述已施加的读取电压和所述导通状态，确定所述第二存储器单元组中各存储器单元对应的参考读取电压，包括：

如果本次施加的读取电压为能够使得所述各存储器单元导通的最小读取电压且在可施加的读取电压中电压值最小，或，本次施加的读取电压为未使得所述各存储器单元导通的最大读取电压且在可施加的读取电压中电压值最大，则将所述本次施加的读取电压作为所述参考读取电压；

如果本次施加的读取电压和之前施加的一个读取电压分别为使得所述各存储器单元导通的最小读取电压和未使得所述各存储器单元导通的最大读取电压，则将所述本次施加的读取电压或所述之前施加的一个读取电压作为所述参考读取电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每次充电后向目标字线逐个施加的多个读取电压对应同一个page。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三维存储器包括三维NAND闪存存储器。

6.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元层；

多个字线，所述多个字线分别耦合到所述多个存储器单元层；

多个位线，所述多个位线分别耦合到任一存储器单元层中的多个存储器单元；以及

外围电路，所述外围电路耦合到所述多个字线以及所述多个位线，并且被配置为对所述多个存储器单元层中的选定存储器单元层执行读取操作，所述选定存储器单元层耦合到选定字线，其中，为了执行所述读取操作，所述外围电路被配置为：

对目标位线进行充电，所述目标位线为第一存储器单元组中的存储器单元耦合的位线，所述第一存储器单元组中的存储器单元为待读取存储器单元层中未确定读取结果的存储器单元；

向目标字线逐个施加多个读取电压，在施加所述多个读取电压中的指定读取电压后，根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，并停止对所述第二存储器单元组中各存储器单元耦合的位线进行充电，其中，所述目标字线为与所述待读取存储器单元层耦合的字线，所述第二存储器单元组中各存储器单元为所述第一存储器单元组中，能够根据在读取电压下的导通状态确定出读取结果的存储器单元；

如果确定所述待读取存储器单元层仍存在未确定读取结果的存储器单元，则转至执行所述对目标位线进行充电。