[发明专利]三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统

说明书

本申请公开了一种三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统，属于存储技术领域。该方法包括：对目标位线进行充电，目标位线为第一存储器单元组中的存储器单元耦合的位线，第一存储器单元组中的存储器单元为待读取存储器单元层中未确定读取结果的存储器单元；向目标字线逐个施加多个读取电压，在施加多个读取电压中的指定读取电压后，根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，其中，目标字线为与待读取存储器单元层耦合的字线，第二存储器单元组中各存储器单元为第一存储器单元组中，能够根据在读取电压下的导通状态确定出读取结果的存储器单元。采用本申请能够降低三维存储器的功耗。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别涉及一种三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统。

背景技术

随着存储技术的进步，三维存储器(例如3D NAND闪存存储芯片)的应用越来越广泛，如三维存储器可应用于手机、电脑等设备。

在三维存储器中，可以根据存储器单元存储数据的比特位个数，将一个存储器单元层划分为多个页(page)，其中，划分page的数量与存储器单元存储数据的比特位个数相等。例如，存储器单元为三级单元(Triple-Level Cell，TLC)闪存颗粒时，每个存储器单元存储的数据有三个比特位，相应的可以将一个存储器单元层划分为三个page，其中包括低页(low page)、中间页(middle page)和高页(up page)。

其中，每个page对应有不同的读取电压，在对三维存储器的任一存储器单元层进行数据读取时，可以按照各page的顺序，向相应的字线(Word Line，WL)施加各page对应的读取电压。在每次向WL施加任一page对应的任一读取电压后，可根据各位线(Bit Line，BL)在不同读取电压下的导通状态，确定存储器单元存储的相应比特位的数据，这样在向WL施加完各page对应的各读取电压后，可根据确定的存储器单元存储的各比特位的数据，确定读取结果。

为了确定各位线在不同读取电压下的导通状态，在施加向字线各page对应的读取电压的过程中，都需要对所有的位线进行充电，如此也导致三维存储器的功耗增大。

发明内容

本申请实施例提供了一种三维存储器的读取方法、三维存储器及存储器系统，能够降低三维存储器的功耗。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种三维存储器的读取方法，所述方法包括：

对目标位线进行充电，所述目标位线为第一存储器单元组中的存储器单元耦合的位线，所述第一存储器单元组中的存储器单元为待读取存储器单元层中未确定读取结果的存储器单元；

向目标字线逐个施加多个读取电压，在施加所述多个读取电压中的指定读取电压后，根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，并停止对所述第二存储器单元组中各存储器单元耦合的位线进行充电，其中，所述目标字线为与所述待读取存储器单元层耦合的字线，所述第二存储器单元组中各存储器单元为所述第一存储器单元组中，能够根据在读取电压下的导通状态确定出读取结果的存储器单元；

如果确定所述待读取存储器单元层仍存在未确定读取结果的存储器单元，则转至执行所述对目标位线进行充电。

可选的，所述根据未确定读取结果的存储器单元在读取电压下的导通状态，确定第二存储器单元组对应的读取结果，包括：

获取所述第一存储器单元在所述已施加的读取电压下的导通状态；

根据所述已施加的读取电压和所述导通状态，确定所述第二存储器单元组中各存储器单元对应的参考读取电压，所述参考读取电压为使所述各存储器单元导通的最小读取电压或未使所述各存储器单元导通的最大读取电压；

根据所述参考读取电压，得到所述参考读取电压对应的读取数据，将所述读取数据作为所述第二存储器单元组对应的读取结果。