[发明专利]用于电子显微镜的样品的制备方法在审
申请号: | 202210574364.5 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN114923753A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 孙罗男;王国斌 | 申请(专利权)人: | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子显微镜 样品 制备 方法 | ||
1.一种用于电子显微镜的样品的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一初始样品;
在所述初始样品的待检测区域形成保护层;
沿所述保护层的外围切割所述初始样品,获得一端与初始样品相连的样品片;
取出所述样品片;
对所述样品片采用离子束轰击进行减薄,所述离子束具有一倾斜角。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述样品片采用离子束轰击进行减薄的步骤进一步是:
对所述样品片采用离子束轰击进行粗减薄;
对所述样品片采用离子束轰击进行降压精细减薄。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对所述样品片进行减薄的步骤中,减薄的电压为1kV~16kV,离子束的倾斜角度范围是±5°。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在对所述样品片进行粗减薄的步骤中,粗减薄的电压为2kV~16kV,减薄电流为0.04nA~0.90nA,深度6μm~10μm。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在对所述样品片进行降压精细减薄的步骤中,精细减薄的电压为1kV~5kV,电流为20pA~40pA,精细减薄时间为30s~50s。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,沿所述保护层的外围切割所述初始样品进一步包括如下步骤:
沿所述保护层长边的两侧对所述初始样品挖槽;
沿所述保护层长边的两侧对所述初始样品修边;
沿所述保护层宽边的一侧对所述初始样品进行U型切割,确保将所述初始样品底部截断。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在在所述初始样品的待检测区域形成保护层的步骤中,采用离子束沉积形成保护层,所述样品的倾斜角为50度~54度;所采用的电压为15kV~20kV,电流为90pA~0.26nA;保护层的长度为8μm~10μm,宽度和厚度分别为2μm~3μm。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在沿所述保护层长边的两侧对所述初始样品挖槽的步骤中,所述样品的倾斜角度为50度~54度;挖槽电压为15kV~20kV,电流为4.4nA~23nA;挖槽后样品区域的长度为18μm~20μm,宽度为9μm~10μm,深度为10μm~12μm。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在沿所述保护层长边的两侧对所述初始样品修边的步骤中,将所述样品的倾斜角向两个方向分别调整1度~3度;修边电压为6kV~7kV,电流为2nA~9.1nA;修边后样品区域的长度为18μm~20μm,宽度为2μm~3μm,深度为10μm~12μm。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在沿所述保护层宽边的一侧对所述初始样品进行U型切割的步骤中,所述样品的倾斜角度小于1度;切割电压为15kV~20kV,电流为2.4nA~5nA。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,取出所述样品片进一步包括如下步骤:
将所述样品片与初始样品截断的一端与探针相接;
将所述样品片与初始样品相连的一端与初始样品截断;
升高所述探针使所述样品片与所述初始样品分离;
将取出的样品片连接至铜网上;
将连接至铜网上的样品片与所述探针分离。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在将所述样品片与初始样品截断的一端与探针相接的步骤中,所述初始样品的倾斜角度为小于1度;电压为25kV~30kV,电流为41pA~270pA。
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