[发明专利]用于电子显微镜的样品的制备方法

说明书

本发明提出一种用于电子显微镜的样品的制备方法。所述方法包括如下步骤：提供一初始样品；在所述初始样品的待检测区域形成保护层；沿所述保护层的外围切割所述初始样品，获得一端与初始样品相连的样品片；取出所述样品片；对所述样品片采用离子束轰击进行减薄，所述离子束具有一倾斜角。上述技术方案通过对样品片实施低电压下的减薄，并通过设置离子束的倾角来抑制分散问题，可以在确保减薄效率的情况下有效减少电子束对样品片的轰击，从而降低孔洞产生的可能性，提高成像质量。制作用于电子显微镜的样品的过程中进一步实施多步减薄，调整每一步的电压及电流，提高加工速率，同时也能减少对样品片的损伤。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于电子显微镜的样品的制备方法。

背景技术

在半导体制造业中，有各种各样的检测设备，其中电子显微镜是用于检测组成期间的薄膜的形貌、尺寸的一个重要工具。常用的电子显微镜包括TEM(transmissionelectron microscope，透射电子显微镜)和SEM(scanning electron microscope，扫描电子显微镜)。TEM的工作原理是将需检测的样品放入TEM观察室，以高压加速的电子束照射样片，将样品形貌放大、投影到屏幕上，照相，然后进行分析，TEM的一个突出优点是具有较高的分辨率，可观测极薄薄膜的形貌及尺寸。TEM是材料科学研究中十分重要的分析工具，可以进行样品的形貌分析，结构分析和成分分析，在集成电路分析领域有着极为广泛且越来越重要的应用，而采用聚焦离子束(FIB)制样则是半导体领域最为主要的TEM样品制备方式。

现有技术中，采用聚焦离子束(FIB)制样则是半导体领域最为主要的TEM样品制备方式。然而常规采用FIB制备TEM样品方法会使得半导体材料出现缺陷，材料会自发形成孔洞，影响成像质量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种用于电子显微镜的样品的制备方法，解决FIB制备电子显微镜样品使材料形成孔洞的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种用于电子显微镜的样品的制备方法，包括如下步骤：提供一初始样品；在所述初始样品的待检测区域形成保护层；沿所述保护层的外围切割所述初始样品，获得一端与初始样品相连的样品片；取出所述样品片；对所述样品片采用离子束轰击进行减薄，所述离子束具有一倾斜角。

上述技术方案通过对样品片实施低电压下的减薄，并通过设置离子束的倾角来抑制分散问题，可以在确保减薄效率的情况下有效减少电子束对样品片的轰击，从而降低孔洞产生的可能性，提高成像质量。制作用于电子显微镜的样品的过程中进一步实施多步减薄，调整每一步的电压及电流，提高加工速率，同时也能减少对样品片的损伤。

附图说明

附图1所示是本发明所述用于电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式的实施步骤示意图。

附图2A～2E所示是本发明所述用于电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式的工艺流程示意图。

附图3所示是本发明所述用于电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式中沿所述保护层的外围切割所述初始样品的实施步骤示意图。

附图4A～4C所示是本发明所述用于电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式中沿所述保护层的外围切割所述初始样品的工艺流程图的剖面图。

附图5所示是本发明所述电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式中取出所述样品片的实施步骤示意图。

附图6A～6C所示是本发明所述电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式中取出所述样品片的工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的用于电子显微镜的样品的制备方法的具体实施方式做详细说明。