[发明专利]一种存储设备及其测试方法、测试系统

说明书

本发明公开了一种存储设备的测试方法，至少包括：提供一存储设备，并根据存储信息的种类，在存储设备中建立数据区域、系统块区域和坏块表映射区域；对数据区域进行第一读写测试，并根据第一读写测试的结果，在数据区域中建立第一坏块区域和工作块区域；调节存储设备的时序信息，并获取工作块区域的读写错误信息，根据读写错误信息，重复调谐存储设备的读写参数信息；根据读写参数信息，对工作块区域和系统块区域进行第二读写测试，并根据第二读写测试的结果，在工作块区域和系统块区域内标记出第二坏块区域；以及获取第一坏块区域和第二坏块区域的坏块信息，并将坏块信息记录于坏块表映射区域。本发明能够快速且稳定地筛选出存储设备中的坏块。

技术领域

本发明属于存储设备测试领域，特别涉及一种存储设备及其测试方法、测试系统。

背景技术

闪存存储(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性的存储器。闪存能在被称为块(block)的存储单位中进行删除和改编。而闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。在闪存的制造工艺中，因为工艺限制和闪存性能问题，会出现坏块问题。

当闪存出现坏块，存储设备无法准确测试出坏块，若是在存储数据时使用到坏块，就会导致数据的读写和擦除出现错误。坏块的存在会严重的影响硬盘的性能，甚至会导致硬盘报废和数据丢失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储设备及其测试方法、测试系统，可以快速且稳定地筛选出存储设备中的坏块，从而提升存储设备的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供的一种存储设备的测试方法，至少包括：

提供一存储设备，并根据存储信息的种类，在所述存储设备中建立数据区域、系统块区域和坏块表映射区域；

对所述数据区域进行第一读写测试，并根据所述第一读写测试的结果，在所述数据区域中建立第一坏块区域和工作块区域；

调节所述存储设备的时序信息，并获取所述工作块区域的读写错误信息，根据所述读写错误信息，重复调谐所述存储设备的读写参数信息；

根据所述读写参数信息，对所述工作块区域和所述系统块区域进行第二读写测试，并根据第二读写测试的结果，在所述工作块区域和所述系统块区域内标记出第二坏块区域；以及

获取所述第一坏块区域和所述第二坏块区域的坏块信息，并将所述坏块信息记录于所述坏块表映射区域。

在本发明一实施例中，调谐所述存储设备的读写参数的步骤包括：

以单倍数据速率对所述工作块区域写入数据，再以双倍数据速率从所述工作块区域读出数据；以及

根据读写数据产生的错误校正码，校正读取阶段的时序信息，获得最优读取时序信息。

在本发明一实施例中，调谐所述存储设备的读写参数的步骤包括：

调整所述存储设备的时序信息为最优读取时序信息，并以双倍数据速率向所述工作块区域写入数据；

从所述工作块区域读出数据，并根据读写数据产生的错误校正码，校正写入阶段的时序信息，获得最优写入时序信息。

在本发明一实施例中，在重复调谐所述存储设备的读写参数信息后，搜寻所述存储设备中存储块的结果页，在所述坏块映射表区域建立坏块映射表，所述坏块映射表包括所述第一坏块区域的坏块地址和坏块信息。

在本发明一实施例中，所述第一读写测试的步骤包括：

提供多个预设数据，按照所述预设数据从大到小的顺序，将所述预设数据写入所述工作块区域，至写满所述工作块区域；以及