[发明专利]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：至少两个存储阵列、第一外围电路和第二外围电路；

所述至少两个存储阵列，位于衬底上，沿平行于所述衬底的第一方向并列设置；所述存储阵列包括：沿第二方向间隔设置的多个存储单元行，沿第三方向间隔设置的多个存储单元列，多条第一导电线和多条第二导电线；其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相垂直；

所述存储单元行包括沿所述第三方向间隔设置的多个存储单元，所述存储单元列包括沿所述第二方向间隔设置的多个所述存储单元，所述存储单元包括晶体管；

所述多条第一导电线，沿所述第三方向间隔设置，且沿第二方向延伸，所述第一导电线耦接所述存储单元行包括的多个所述晶体管的栅极；

所述多条第二导电线，沿所述第二方向间隔设置，且沿所述第三方向延伸，所述第二导电线耦接所述存储单元列包括的多个所述晶体管的源极；

所述第一外围电路，位于沿所述第一方向并列设置的两个所述存储阵列之间，耦接所述存储阵列包括的所述多条第一导电线，用于对所述第一导电线施加第一控制信号；

所述第二外围电路，位于沿所述第一方向并列设置的两个所述存储阵列之间，耦接所述存储阵列包括的所述多条第二导电线，用于对所述第二导电线施加第二控制信号。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，

所述存储阵列包括第一台阶结构，所述第一台阶结构包括沿垂直于所述衬底的方向堆叠的多级第一台阶；其中，所述第一台阶，包括沿垂直于所述衬底的方向堆叠设置的所述第一导电线和第一绝缘层；所述第一绝缘层位于相邻的两个所述第一导电线之间；

或者，

所述存储阵列包括第二台阶结构，所述第二台阶结构包括沿垂直于所述衬底的方向堆叠的多级第二台阶；其中，所述第二台阶，包括沿垂直于所述衬底的方向堆叠设置的所述第二导电线和第二绝缘层；所述第二绝缘层位于相邻的两个所述第二导电线之间。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，

所述第二方向平行于所述衬底；

所述存储器包括：沿所述第二方向并列设置的至少两个所述存储阵列；

所述存储阵列中，所述第二导电线位于所述存储阵列的第一侧，所述第一台阶结构位于所述存储阵列的第二侧；其中，所述第二侧与所述第一侧接触；

第一个所述存储阵列包括的所述第一台阶结构，沿所述第一方向与第二个所述存储阵列并列设置，且相对靠近第二个所述存储阵列的第三侧；其中，所述第三侧为所述第一侧的相反侧；

第二个所述存储阵列包括的所述第一台阶结构，沿所述第一方向与所述第一个所述存储阵列并列设置，且相对靠近第一个所述存储阵列的第三侧。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括：至少四个沿所述第二方向依次并列设置的所述存储阵列；

其中，沿所述第二方向，第一个所述存储阵列和第四个所述存储阵列镜像对称，第二个所述存储阵列和第三个所述存储阵列镜像对称。

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括：至少四个沿所述第二方向依次并列设置的所述存储阵列；

其中，沿所述第二方向，第一个所述存储阵列和第三个所述存储阵列的布局相同，第二个所述存储阵列和第四个所述存储阵列的布局相同。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，

相邻两个沿所述第一方向并列设置的所述存储阵列镜像对称。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，

沿所述第一方向并列设置的两个存储阵列中，一个所述存储阵列的所述多条第一导电线和另一个所述存储阵列的所述多条第一导电线之间的距离，大于一个所述存储阵列的所述多条第二导电线和另一个所述存储阵列的所述多条第二导电线之间的距离；

所述第一外围电路，位于两个所述存储阵列的所述多条第一导电线之间，耦接两个所述存储阵列的所述多条第一导电线；

所述第二外围电路，位于两个所述存储阵列的所述多条第二导电线之间，耦接两个所述存储阵列的所述多条第二导电线。