[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

多条间隔排布且沿第一方向延伸的位线，所述位线位于所述基底内，所述位线包括交替间隔排布的第一位线和第二位线，且所述第一位线与所述第二位线在沿所述位线的厚度方向上相互错开；

在所述基底上间隔排布的多个半导体柱，所述半导体柱与所述位线相对应，且所述半导体柱底面与相应的所述位线表面相接触。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，所述第一位线与所述第二位线部分错开。

3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，所述第二位线的顶面高于所述第一位线的底面，且所述第二位线的顶面与所述第一位线的底面之间的距离小于或等于5-10nm。

4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，所述第一位线的底面高于所述第二位线的顶面。

5.如权利要求4所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，所述第一位线的底面与所述第二位线的顶面之间的距离小于或等于10-50nm。

6.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，每一所述位线的厚度均相同。

7.如权利要求6所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，每一所述第一位线顶面的高度均相同，每一所述第二位线顶面的高度均相同。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，每一所述半导体柱的长度均相同，所述第一位线对应的所述半导体柱的顶面高度与所述第二位线对应的所述半导体柱的顶面高度不同。

9.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，每一所述半导体柱的顶面平齐，所述第一位线对应的所述半导体柱的长度与所述第二位线对应的所述半导体柱的长度不同。

10.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：多个沿第二方向延伸的字线，同一所述字线环绕多个所述半导体柱设置，其中，沿所述位线的厚度方向上，邻接所述半导体柱的所述字线厚度相同。

11.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，沿所述位线的厚度方向上，邻接不同所述半导体柱的所述字线的顶面高度相同。

12.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，每一所述字线包括沿所述第二方向交替排布的第一字线区和第二字线区，所述第一字线区与所述第一位线对应的所述半导体柱相邻接，所述第二字线区与所述第二位线对应的所述半导体柱相邻接，沿所述位线的厚度方向上，每一所述第一字线区的顶面高度均相同，每一所述第二字线区的顶面高度均相同，所述第一字线区的顶面高度与所述第二字线区的顶面高度不同。

13.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底内形成多条间隔排布且沿第一方向延伸的位线，所述位线包括交替间隔排布的第一位线和第二位线，且所述第一位线与所述第二位线在沿所述位线的厚度方向上相互错开；

形成多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱与所述位线相对应，且所述半导体柱底面与相应的所述位线表面相接触。