[发明专利]中心注入P+屏蔽区的分裂栅平面MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种中心注入P+屏蔽区的分裂栅平面MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：

选用N型衬底，并在N型衬底的上表面生长N型外延层；

在N型外延层上离子注入JFET区；

在N型外延层上离子注入位于JFET区两侧的P-body区；

在两个P-body区的远离JFET区的一侧上分别离子注入第一P+区；

在两个P-body区上分别离子注入位于第一P+区靠近JFET区的一侧的N+区；

在部分P-body区、部分N+区和部分JFET区的上方刻蚀栅氧化层；

在栅氧化层上刻蚀多晶硅栅极区；

在栅氧化层上刻蚀包围多晶硅栅极区的绝缘层结构；

在绝缘层结构上刻蚀中心注入孔，通过中心注入孔在JFET区离子注入位于其中心的第二P+区；

在部分第一P+区、部分N+区和第二P+区的上方以及N型衬底的下表面金属溅射欧姆接触区；

在绝缘层结构和位于第一P+区、N+区和第二P+区的上方的欧姆接触区的上方金属淀积刻蚀第一金属层形成源极金属接触；

在N型衬底下表面的欧姆接触区的下表面金属溅射淀积第二金属层形成漏极金属接触；

还包括：在完成JFET区、P-body区、第一P+区、N+区、第二P+区的离子注入后的分裂栅平面MOSFET的表面淀积碳膜，并进行碳膜退火处理，对注入离子进行激活；

其中淀积碳膜厚度为0.1~2.0μm，退火温度为1000℃~2000℃，退火时间为0.1~1h，退火完成后，去除碳膜。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N型衬底的掺杂浓度为1e19~1e21cm^-3，厚度为100~500μm。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N型外延层的厚度为5~50μm，掺杂浓度为1e15~1e17 cm^-3。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述JFET区的离子注入剂量为1e11~1e14cm^-2，注入能量为20~300KeV，结深为0.1~0.8μm，掺杂浓度范围为1e16~1e18 cm^-3。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P-body区的离子注入剂量为1e13~1e15cm^-2，注入能量为50~400KeV，结深为0.6~1.2μm，掺杂浓度范围为5e16~5e18 cm^-3。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一P+区的离子注入剂量为1e14~1e16cm^-2，注入能量为50~300KeV，结深为0.2~0.8μm，掺杂浓度范围为5e18~1e20 cm^-3。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N+区的离子注入剂量为1e14~1e16cm^-2，注入能量为50~300KeV，结深为0.2~0.8μm，掺杂浓度范围为5e18~1e20 cm^-3。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述分裂栅平面MOSFET表面淀积场氧化层，场氧化层的厚度为0.5~4μm。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的生长温度为1000~1500℃，时间为0.5~4h，生长环境为干氧/空气/水蒸气，生长完栅氧化层厚度为0.3~0.8μm。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多晶硅栅极区中的多晶硅淀积厚度为0.5~3.0μm，刻蚀形成分裂栅结构，分裂栅伸出尺寸LSG为0.1~0.4μm。